內(nèi)存參數(shù)終極優(yōu)化之SDRAM篇
I(yíng)ntel 815E/815EP芯片組主板
在這類主板BIOS的Advanced Chipset Features(高級(jí)芯片組特性)設(shè)置頁(yè)面中一般包含以下內(nèi)存設(shè)置項(xiàng):
Set SDRAM Timing By SPD(根據(jù)SPD確定內(nèi)存時(shí)序)
可選項(xiàng):Disabled,Enabled。
SPD(Serial Presence Detect )是內(nèi)存條上一個(gè)很小的芯片,它存儲(chǔ)了內(nèi)存條的工作參數(shù)信息。如果使用優(yōu)質(zhì)的品牌內(nèi)存,則可以將DRAM Timing By SPD設(shè)置成Enabled,此時(shí),就無(wú)需對(duì)下面介紹的BIOS內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行設(shè)置了,系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)根據(jù)SPD中的數(shù)據(jù)確定內(nèi)存的運(yùn)行參數(shù)。有些兼容內(nèi)存的SPD是空的或者感覺某些品牌內(nèi)存的SPD參數(shù)比較保守,想充分挖掘其潛能,則可以將該參數(shù)設(shè)置成Disabled,這時(shí),就可以對(duì)以下的內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行調(diào)整了。
SDRAM CAS Latency Time(內(nèi)存CAS延遲時(shí)間)
可選項(xiàng):2,3。
內(nèi)存CAS(Column Address Strobe,列地址選通脈沖)延遲時(shí)間控制SDRAM內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才實(shí)際執(zhí)行該指令。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過(guò)程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。這個(gè)參數(shù)越小,則內(nèi)存的速度越快。在133MHz頻率下,品質(zhì)一般的兼容內(nèi)存大多只能在CAS=3下運(yùn)行,在CAS=2下運(yùn)行會(huì)使系統(tǒng)不穩(wěn)定、丟失數(shù)據(jù)甚至無(wú)法啟動(dòng)。CAS延遲時(shí)間是一個(gè)非常重要的內(nèi)存參數(shù),對(duì)電腦性能的影響比較大,Intel與VIA就PC133內(nèi)存規(guī)范的分歧也與此參數(shù)有關(guān),Intel認(rèn)為PC133內(nèi)存應(yīng)能穩(wěn)定運(yùn)行于133MHz頻率、CAS=2下,而VIA認(rèn)為PC133內(nèi)存能穩(wěn)定運(yùn)行于133MHz頻率即可,并未特別指定CAS值,因此Intel的規(guī)范更加嚴(yán)格,一般只有品牌內(nèi)存才能夠滿足此規(guī)范,所以大家感覺Intel的主板比較挑內(nèi)存。
SDRAM Cycle Time Tras/Trc(內(nèi)存Tras/Trc時(shí)鐘周期)
可選項(xiàng):5/7,7/9。
該參數(shù)用于確定SDRAM內(nèi)存行激活時(shí)間和行周期時(shí)間的時(shí)鐘周期數(shù)。Tras代表SDRAM行激活時(shí)間(Row Active Time),它是為進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸而開啟行單元所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。Trc代表SDRAM行周期時(shí)間(Row Cycle Time),它是包括行單元開啟和行單元刷新在內(nèi)的整個(gè)過(guò)程所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。出于最佳性能考慮可將該參數(shù)設(shè)為5/7,這時(shí)內(nèi)存的速度較快,但有可能出現(xiàn)因行單元開啟時(shí)間不足而影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r,在SDRAM內(nèi)存的工作頻率高于100MHz時(shí)尤其是這樣,即使是品牌內(nèi)存大多也承受不了如此苛刻的設(shè)置。
SDRAM RAS-TO-CAS Delay(內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間)
可選項(xiàng):2,3。
該參數(shù)可以控制SDRAM行地址選通脈沖(RAS,Row Address Strobe)信號(hào)與列地址選通脈沖信號(hào)之間的延遲。對(duì)SDRAM進(jìn)行讀、寫或刷新操作時(shí),需要在這兩種脈沖信號(hào)之間插入延遲時(shí)鐘周期。出于最佳性能考慮可將該參數(shù)設(shè)為2,如果系統(tǒng)無(wú)法穩(wěn)定運(yùn)行則可將該參數(shù)設(shè)為3。
SDRAM RAS Precharge Time(內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間)
可選項(xiàng):2,3。
該參數(shù)可以控制在進(jìn)行SDRAM刷新操作之前行地址選通脈沖預(yù)充電所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。將預(yù)充電時(shí)間設(shè)為2可以提高SDRAM的性能,但是如果2個(gè)時(shí)鐘周期的預(yù)充電時(shí)間不足,則SDRAM會(huì)因無(wú)法正常完成刷新操作而不能保持?jǐn)?shù)據(jù)。
Memory Hole At 15M-16M(位于15M~16M的內(nèi)存保留區(qū))
可選項(xiàng): Disabled,Enabled。
一些特殊的ISA擴(kuò)展卡的正常工作需要使用位于15M~16M的內(nèi)存區(qū)域,該參數(shù)設(shè)為Enabled就將該內(nèi)存區(qū)域保留給此類ISA擴(kuò)展卡使用。由于PC’99規(guī)范已不再支持ISA擴(kuò)展槽,所以新型的主板一般都沒(méi)有ISA插槽,因而應(yīng)將該參數(shù)設(shè)為Disabled。
System Memory Frequency(系統(tǒng)內(nèi)存頻率)
可選項(xiàng):AUTO、100MHz、133MHz。
此項(xiàng)設(shè)置實(shí)現(xiàn)內(nèi)存異步運(yùn)行管理功能。AUTO:根據(jù)內(nèi)存的特性自動(dòng)設(shè)定內(nèi)存的工作頻率;100MHz:將內(nèi)存強(qiáng)制設(shè)定在100MHz頻率下工作;133MHz:將內(nèi)存強(qiáng)制設(shè)定在133MHz頻率下工作。
Memory Parity/ECC Check(內(nèi)存奇偶/ECC校驗(yàn))
可選項(xiàng):Disabled,Enabled。
如果系統(tǒng)使用了ECC內(nèi)存,可以將該參數(shù)設(shè)為Enabled,否則一定要將該參數(shù)設(shè)成Disabled。ECC表示差錯(cuò)校驗(yàn)和糾正(Error Checking and Correction)一般是高檔服務(wù)器內(nèi)存條所具備的功能,這種內(nèi)存條有實(shí)現(xiàn)ECC功能的內(nèi)存顆粒,使系統(tǒng)能夠檢測(cè)并糾正內(nèi)存中的一位數(shù)據(jù)差錯(cuò)或者是檢測(cè)出兩位數(shù)據(jù)差錯(cuò)。ECC功能可以提高數(shù)據(jù)的完整性
和系統(tǒng)的穩(wěn)定性,這對(duì)服務(wù)器尤其重要,但ECC會(huì)造成一定的性能損失
VIA芯片組主板
VIA芯片組主板一般比Intel芯片組主板內(nèi)存設(shè)置選項(xiàng)要豐富一些,在這類主板BIOS的Advanced Chipset Features(高級(jí)芯片組特性)設(shè)置頁(yè)面中一般包含以下內(nèi)存設(shè)置項(xiàng):
Bank 0/1、2/3、4/5 DRAM Timing(內(nèi)存速度設(shè)定)
可選項(xiàng):Turbo(高速),F(xiàn)ast(快速),Medium(中等),Normal(正常),SDRAM 8/10 ns。
該選項(xiàng)用于設(shè)定內(nèi)存的速度,對(duì)于SDRAM內(nèi)存條,設(shè)定為SDRAM 8/10 ns即可。
SDRAM Clock(內(nèi)存時(shí)鐘頻率)
可選項(xiàng):HOST CLK,HCLK 33M(或HCLK-33M)。
該參數(shù)設(shè)置內(nèi)存的異步運(yùn)行模式。HOST CLK表示內(nèi)存運(yùn)行頻率等于系統(tǒng)的外頻,HCLK 33M表示內(nèi)存運(yùn)行頻率等于系統(tǒng)外頻再加上33MHz,HCLK-33M表示內(nèi)存運(yùn)行頻率等于系統(tǒng)外頻減去33MHz。如PentiumⅢ 800EB時(shí),BIOS自動(dòng)使該參數(shù)的可選項(xiàng)出現(xiàn)HOST CLK和HCLK-33M,如果使用PC133內(nèi)存,可以將該參數(shù)設(shè)為HOST CLK,如果使用PC100內(nèi)存,則可以將該參數(shù)設(shè)為HCLK-33M,這樣就可使系統(tǒng)配合性能較低的PC100內(nèi)存使用。內(nèi)存異步功能使系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存的兼容性的提升是比較明顯的,也是VIA芯片組一項(xiàng)比較重要的功能。
Bank Interleave(內(nèi)存Bank交錯(cuò))
可選項(xiàng):Disabled,2-Bank,4-Bank。
內(nèi)存交錯(cuò)使SDRAM內(nèi)存各個(gè)面的刷新時(shí)鐘信與讀寫時(shí)鐘信號(hào)能夠交錯(cuò)出現(xiàn),這可以實(shí)現(xiàn)CPU在刷新一個(gè)內(nèi)存面的同時(shí)對(duì)另一個(gè)內(nèi)存面進(jìn)行讀寫,這樣就不必花費(fèi)專門的時(shí)間來(lái)對(duì)各個(gè)內(nèi)存面進(jìn)行刷新。而且在CPU即將訪問(wèn)的一串內(nèi)存地址分別位于不同內(nèi)存面的情況下,內(nèi)存面交錯(cuò)使CPU能夠?qū)崿F(xiàn)在向后一個(gè)內(nèi)存面發(fā)送地址的同時(shí)從前一個(gè)內(nèi)存面接收數(shù)據(jù),從而產(chǎn)生一種流水線操作的效果,提高了SDRAM內(nèi)存的帶寬。因此,有人甚至認(rèn)為啟用內(nèi)存交錯(cuò)對(duì)于系統(tǒng)性能的提高比將內(nèi)存CAS延遲時(shí)間從3改成2還要大。
不過(guò),內(nèi)存交錯(cuò)是一個(gè)比較高級(jí)的內(nèi)存設(shè)置選項(xiàng),有一些采用VIA 694X芯片組的主板由于BIOS版本較舊,可能沒(méi)有該設(shè)置項(xiàng),這時(shí)可以升級(jí)主板的BIOS。如果在最新版的BIOS中仍未出現(xiàn)該設(shè)置項(xiàng),那就只有通過(guò)某些VIA芯片組內(nèi)存BANK交錯(cuò)開啟軟件,如WPCREdit和相應(yīng)的插件(可以從“驅(qū)動(dòng)之家”網(wǎng)站下載)來(lái)修改北橋芯片的寄存器,從而打開內(nèi)存交錯(cuò)模式。
SDRAM Driver Strength(內(nèi)存訪問(wèn)信號(hào)的強(qiáng)度)
可選項(xiàng):Auto,Manual。
此選項(xiàng)用于控制內(nèi)存訪問(wèn)信號(hào)的強(qiáng)度。一般情況下可以將該選項(xiàng)設(shè)置成Auto,此時(shí)芯片組承擔(dān)內(nèi)存訪問(wèn)信號(hào)強(qiáng)度的控制工作并自動(dòng)調(diào)整內(nèi)存訪問(wèn)信號(hào)的強(qiáng)度以與電腦中安裝的內(nèi)存相適應(yīng)。如果需要超頻或排除電腦故障,則可以將該參數(shù)設(shè)為Manual,這時(shí)就可以手工調(diào)整SDRAM Driver value(內(nèi)存訪問(wèn)信號(hào)強(qiáng)度值)的數(shù)值。
SDRAM Driver value(內(nèi)存訪問(wèn)信號(hào)強(qiáng)度值)
可選項(xiàng):00至FF(十六進(jìn)制)。
該選項(xiàng)決定了內(nèi)存訪問(wèn)信號(hào)強(qiáng)度的數(shù)值。要注意的是只有將SDRAM Driver Strength選項(xiàng)設(shè)為 Manual時(shí),SDRAM Driver value的數(shù)值才是有效的。SDRAM Driver value的范圍是十六進(jìn)制的00至FF,其數(shù)值越大,則內(nèi)存訪問(wèn)信號(hào)的強(qiáng)度也越大。內(nèi)存對(duì)工作頻率是比較敏感的,當(dāng)工作頻率高于內(nèi)存的標(biāo)稱頻率時(shí),將該選項(xiàng)的數(shù)值調(diào)高,可以提高電腦在超頻狀態(tài)下的穩(wěn)定性。這種作法盡管沒(méi)有提高內(nèi)存的工作電壓(有一些超頻功能較強(qiáng)的主板可以調(diào)整內(nèi)存的工作電壓),但在提高SDRAM Driver value的數(shù)值時(shí)仍然要十分慎重,以免造成內(nèi)存條的損壞。
Fast R-W Turn Around(快速讀寫轉(zhuǎn)換)
可選項(xiàng): Enabled,Disabled。
當(dāng)CPU先從內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)然后向內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)時(shí),通常存在額外的延遲,該參數(shù)可以降低這種讀寫轉(zhuǎn)換之間的延遲。將該參數(shù)設(shè)置成Enabled,可以降低內(nèi)存讀寫轉(zhuǎn)換延遲,從而使內(nèi)存從讀狀態(tài)轉(zhuǎn)入寫狀態(tài)的速度更快。然而,如果內(nèi)存不能實(shí)現(xiàn)快速讀寫轉(zhuǎn)換,則會(huì)造成數(shù)據(jù)丟失和系統(tǒng)不穩(wěn)定,這時(shí)就需要將該參數(shù)設(shè)置成Disabled。
注意:在BIOS中對(duì)內(nèi)存進(jìn)行優(yōu)化設(shè)置可能會(huì)對(duì)電腦運(yùn)行的穩(wěn)定性造成不良影響,所以建議內(nèi)存優(yōu)化后一定要使用測(cè)試軟件進(jìn)行電腦穩(wěn)定性和速度的測(cè)試。如果您對(duì)自己內(nèi)存的性能沒(méi)有信心,那么最好采取保守設(shè)置,畢竟穩(wěn)定性是最重要的。如果因內(nèi)存優(yōu)化而出現(xiàn)電腦經(jīng)常死機(jī)、重啟動(dòng)或程序發(fā)生異常錯(cuò)誤等情況,只要清除CMOS參數(shù),再次設(shè)置成系統(tǒng)默認(rèn)的數(shù)值就可以了。
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