內(nèi)存基本知識

??????? 1.你知道最新的RAM技術(shù)詞匯嗎??
???????? 介紹一些最新的RAM技術(shù)詞匯?
??????? CDRAM-Cached DRAM——高速緩存存儲器?
??????? CVRAM-Cached VRAM——高速緩存視頻存儲器?
??????? DRAM-Dynamic RAM——動態(tài)存儲器?
??????? EDRAM-Enhanced DRAM——增強型動態(tài)存儲器?
??????? EDO RAM-Extended Date Out RAM——外擴充數(shù)據(jù)模式存儲器?
??????? EDO SRAM-Extended Date Out SRAM——外擴充數(shù)據(jù)模式靜態(tài)存儲器?
??????? EDO VRAM-Extended Date Out VRAM——外擴充數(shù)據(jù)模式視頻存儲器?
??????? FPM-Fast Page Mode——快速頁模式?
??????? FRAM-Ferroelectric RAM——鐵電體存儲器?
??????? SDRAM-Synchronous DRAM——同步動態(tài)存儲器?
??????? SRAM-Static RAM——靜態(tài)存儲器?
??????? SVRAM-Synchronous VRAM——同步視頻存儲器?
??????? 3D RAM-3 DIMESION RAM——3維視頻處理器專用存儲器?
??????? VRAM-Video RAM——視頻存儲器?
??????? WRAM-Windows RAM——視頻存儲器(圖形處理能力優(yōu)于VRAM)
??????? MDRAM-MultiBank DRAM——多槽動態(tài)存儲器?
??????? SGRAM-Signal RAM——單口存儲器

2.存儲器有哪些主要技術(shù)指標
??????? 存儲器是具有“記憶”功能的設備，它用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物理器件來表示二進制數(shù)碼 “0”和“1”，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯，半導體觸發(fā)器、 MOS電路或電容器等。 位(bit)是二進制數(shù)的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進制數(shù)稱為一 個字節(jié)(Byte)，可以由一個字節(jié)或若干個字節(jié)組成一個字(Word)在PC機中一般認為1個或 2個字節(jié)組成一個字。若干個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個 存儲體(MemoryBank)。 為了區(qū)分存儲體內(nèi)的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。地址與存儲單元之間 一一對應，且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它里面存放的內(nèi)容完全是兩 回事。?
??????? 根據(jù)存儲器在計算機中處于不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內(nèi)部，直接 與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內(nèi)存儲器。在執(zhí)行期間，程序的數(shù)據(jù)放在主存儲器 內(nèi)。各個存儲單元的內(nèi)容可通過指令隨機讀寫訪問的存儲器稱為隨機存取存儲器(RAM)。另 一種存儲器叫只讀存儲器(ROM)，里面存放一次性寫入的程序或數(shù)據(jù)，僅能隨機讀出。RAM 和ROM共同分享主存儲器的地址空間。RAM中存取的數(shù)據(jù)掉電后就會丟失，而掉電后ROM中 的數(shù)據(jù)可保持不變。 因為結(jié)構(gòu)、價格原因，主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要而采用了大容量的輔助存儲 器或稱外存儲器，如磁盤、光盤等。 存儲器的特性由它的技術(shù)參數(shù)來描述。?
??????? 存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。一般主存儲器(內(nèi)存)容量在幾 十K到幾十M字節(jié)左右；輔助存儲器(外存)在幾百K到幾千M字節(jié)。?
??????? 存取周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器 (MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩(wěn)定在MDR的輸出端為止的時間 間隔，稱為取數(shù)時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導 體存儲器的存取周期一般為60ns-100ns。?
??????? 存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩 次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可靠性越高，即保持正確工作能力越強。?
??????? 性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內(nèi)容。性能價格比是一個 綜合性指標，對于不同的存儲器有不同的要求。對于外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存 儲器則要求速度非?？?，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統(tǒng)很重要的 指標。

SDARM能成為下一代內(nèi)存的主流嗎?
??????? 快頁模式(FPM)DRAM的黃金時代已經(jīng)過去。隨著高效內(nèi)存集成電路的出現(xiàn)和為優(yōu)化Pentium 芯片運行效能而設計的INTEL HX、VX等核心邏輯芯片組的支持，人們越來越傾向于采用擴 展數(shù)據(jù)輸出(EDO)DRAM。 EDO DRAM采用一種特殊的內(nèi)存讀出電路控制邏輯，在讀寫一個地址單元時，同時啟動下一 個連續(xù)地址單元的讀寫周期。從而節(jié)省了重選地址的時間，使存儲總線的速率提高到 40MHz。也就是說，與快頁內(nèi)存相比，內(nèi)存性能提高了將近15%～30%，而其制造成本與快頁 內(nèi)存相近。 但是EDO內(nèi)存也只能輝煌一時，其稱霸市場的時間將極為短暫。不久以后市場上主流CPU的 主頻將高達200MHz以上。為優(yōu)化處理器運行效能，總線時鐘頻率至少要達到66MHz以上。 多媒體應用程序以及Windows 95和Windows NT操作系統(tǒng)對內(nèi)存的要求也越來越高，為緩解 瓶頸，只有采用新的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，以支持高速總線時鐘頻率，而不至于插入指令等待周期。這 樣，為適應下一代主流CPU的需要，在理論上速度可與CPU頻率同步，與CPU共享一個時鐘 周期的同步DRAM(SYNCHRONOUS DRAMS)即SDRAM(注意和用作CACHE的SRAM區(qū)別，SRAM的全 寫是Static RAM即靜態(tài)RAM，速度雖快，但成本高，不適合做主存)應運而生，與其它內(nèi)存 結(jié)構(gòu)相比，性能\價格比最高，勢必將成為內(nèi)存發(fā)展的主流。?
??????? SDRAM基于雙存儲體結(jié)構(gòu)，內(nèi)含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲體或陣列訪問數(shù)據(jù) 的同時，另一個已準備好讀寫數(shù)據(jù)。通過兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍提 高。去年推出的SDRAM最高速度可達100MHz，與中檔Pentium同步，存儲時間高達5～ 8ns，可將Pentium系統(tǒng)性能提高140%，與Pentium 100、133、166等每一檔次只能提高性 能百分之幾十的CPU相比，換用SDRAM似乎是更明智的升級策略。 在去年初許多DRAM生產(chǎn)廠家已開始上市4MB×4和2MB×8的16MB SDRAM內(nèi)存條，但其成本 較高?，F(xiàn)在每一個內(nèi)存生產(chǎn)廠家都在擴建SDRAM生產(chǎn)線。預計到今年底和1998年初，隨著 64M SDRAM內(nèi)存條的大量上市，SDRAM將占據(jù)主導地位。其價格也將大幅下降。?
??????? 但是SDRAM的發(fā)展仍有許多困難要加以克服，其中之一便是主板核心邏輯芯片組的限制。VX 芯片組已開始支持168線SDRAM，但一般VX主板只有一條168線內(nèi)存槽，最多可上32M SDRAM，而簡潔高效的HX主板則不支持SDRAM。預計下一代Pentium主板芯片組TX將更好 的支持SDRAM。Intel最新推出的下一代Pentium主板芯片組TX將更好的支持SDRAM。?
??????? SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡專用內(nèi)存方面也有廣泛應用。對顯示卡來說，數(shù)據(jù)帶寬越 寬，同時處理的數(shù)據(jù)就越多，顯示的信息就越多，顯示質(zhì)量也就越高。以前用一種可同時進 行讀寫的雙端口視頻內(nèi)存(VRAM)來提高帶寬，但這種內(nèi)存成本高，應用受很大限制。因此在 一般顯示卡上，廉價的DRAM和高效的EDO DRAM應用很廣。但隨著64位顯示卡的上市，帶 寬已擴大到EDO DRAM所能達到的帶寬的極限，要達到更高的1600×1200的分辨率，而又盡 量降低成本，就只能采用頻率達66MHz、高帶寬的SDRAM了。 SDRAM也將應用于共享內(nèi)存結(jié)構(gòu)(UMA)——一種集成主存和顯示內(nèi)存的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)在很 大程度上降低了系統(tǒng)成本，因為許多高性能顯示卡價格高昂，就是因為其專用顯示內(nèi)存成本 極高，而UMA技術(shù)將利用主存作顯示內(nèi)存，不再需要增加專門顯示內(nèi)存，因而降低了成本。

什么是Flash Memory 存儲器?
??????? 介紹關(guān)于閃速存儲器有關(guān)知識 近年來，發(fā)展很快的新型半導體存儲器是閃速存儲器(Flash Memory)。它的主要特點是在不 加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質(zhì)而言，F(xiàn)lash Memory屬于EEPROM(電擦除可 編程只讀存儲器)類型。它既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重寫， 功耗很小。目前其集成度已達4MB，同時價格也有所下降。 由于Flash Memory的獨特優(yōu)點，如在一些較新的主板上采用Flash ROM BIOS，會使得BIOS 升級非常方便。 Flash Memory可用作固態(tài)大容量存儲器。目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬盤。硬盤雖 有容量大和價格低的優(yōu)點，但它是機電設備，有機械磨損，可靠性及耐用性相對較差，抗沖 擊、抗振動能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬盤的手段。由于Flash Memory集 成度不斷提高，價格降低，使其在便攜機上取代小容量硬盤已成為可能。 目前研制的Flash Memory都符合PCMCIA標準，可以十分方便地用于各種便攜式計算機中以 取代磁盤。當前有兩種類型的PCMCIA卡，一種稱為Flash存儲器卡，此卡中只有Flash Memory芯片組成的存儲體，在使用時還需要專門的軟件進行管理。另一種稱為Flash驅(qū)動 卡，此卡中除Flash芯片外還有由微處理器和其它邏輯電路組成的控制電路。它們與IDE標 準兼容，可在DOS下象硬盤一樣直接操作。因此也常把它們稱為Flash固態(tài)盤。 Flash Memory不足之處仍然是容量還不夠大，價格還不夠便宜。因此主要用于要求可靠性 高，重量輕，但容量不大的便攜式系統(tǒng)中。在586微機中已把BIOS系統(tǒng)駐留在Flash存儲 器中。

什么是Shadow RAM 內(nèi)存
???????? Shadow RAM也稱為“影子”內(nèi)存。它是為了提高系統(tǒng)效率而采用的一種專門技術(shù)。 Shadow RAM所使用的物理芯片仍然是CMOS DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)芯片。Shadow RAM 占據(jù)了系統(tǒng)主存的一部分地址空間。其編址范圍為C0000～FFFFF，即為1MB主存中的 768KB～1024KB區(qū)域。這個區(qū)域通常也稱為內(nèi)存保留區(qū)，用戶程序不能直接訪問。 Shadow RAM的功能是用來存放各種ROM BIOS的內(nèi)容。或者說Shadow RAM中的內(nèi)容是ROM BIOS的拷貝。因此也把它稱為ROM Shadow(即Shadow RAM的內(nèi)容是ROM BIOS的“影 子”)。 在機器上電時，將自動地把系統(tǒng)BIOS、顯示BIOS及其它適配器的BIOS裝載到Shadow RAM 的指定區(qū)域中。由于Shadow RAM的物理編址與對應的ROM相同，所以當需要訪問BIOS時， 只需訪問Shadow RAM即可，而不必再訪問ROM。 通常訪問ROM的時間在200ns左右，而訪問DRAM的時間小于100ns(最新的DRAM芯片訪問時 間為60ns左右或者更小)。在系統(tǒng)運行的過程中，讀取BIOS中的數(shù)據(jù)或調(diào)用BIOS中的程序 模塊是相當頻繁的。顯然，采用了Shadow技術(shù)后，將大大提高系統(tǒng)的工作效率。 按下按鍵你可以看到該地址空間分配圖,在如圖所示的1MB主存地址空間中，640KB以下的 區(qū)域是常規(guī)內(nèi)存。640KB～768KB區(qū)域保留為顯示緩沖區(qū)。768KB～1024KB區(qū)域即為Shadow RAM區(qū)。在系統(tǒng)設置中，又把這個區(qū)域按16KB大小的尺寸分為塊，由用戶設定是否允許使 用。 C0000～C7FFF這兩個16KB塊(共32KB)通常用作顯示卡的ROM BIOS的Shadow區(qū)。 C8000～EFFFF這10個16KB塊可作為其它適配器的ROM BIOS的Shadow區(qū)。F0000～FFFFF 共64KB規(guī)定由系統(tǒng)ROM BIOS使用。 應該說明的是，只有當系統(tǒng)配置有640KB以上的內(nèi)存時才有可能使用Shadow RAM。在系統(tǒng) 內(nèi)存大于640KB時，用戶可在CMOS設置中按照ROM Shadow分塊提示，把超過640KB以上的 內(nèi)存分別設置為“允許”(Enabled)即可。

什么是EDO RAM??
??????? 內(nèi)存是計算機中最主要的部件之一。微機誕生以來，它的心臟--CPU幾經(jīng)改朝換代，目前已 發(fā)展到了PentiumⅡ，較之于當初，它在速度上已有兩個數(shù)量級的增長。而內(nèi)存的構(gòu)成器件 RAM(隨機存儲器)--一般為DRAM(動態(tài)隨機存儲器)，雖然單個芯片的容量不斷擴大，但存取 速度并沒有太大的提高。雖然人們早就采用高速但昂貴的SRAM芯片在CPU和內(nèi)存之間增加 一種緩沖設備--Cache，以緩沖兩者之間的速度不匹配問題。但這并不能根本解決問題。于 是人們把注意力集中到DRAM接口(芯片收發(fā)數(shù)據(jù)的途徑上)。 在RAM芯片之中，除存儲單元之外，還有一些附加邏輯電路，現(xiàn)在，人們已注意到RAM芯片 的附加邏輯電路，通過增加少量的額外邏輯電路，可以提高在單位時間內(nèi)的數(shù)據(jù)流量，即所 謂的增加帶寬。EDO正是在這個方面作出了嘗試。 擴展數(shù)據(jù)輸出(Extended data out--EDO，有時也稱為超頁模式--hyper-page-mode)DRAM， 和突發(fā)式EDO(Bust EDO-BEDO)DRAM是兩種基于頁模式內(nèi)存的內(nèi)存技術(shù)。EDO大約一年前被 引入主流PC，從那以后成為許多系統(tǒng)廠商的主要內(nèi)存選擇。BEDO相對更新一些，對市場的 吸引還未能達到EDO的水平。 EDO的工作方式頗類似于FPM DRAM：先觸發(fā)內(nèi)存中的一行，然后觸發(fā)所需的那一列。但是當 找到所需的那條信息時，EDO DRAM不是將該列變?yōu)榉怯|發(fā)狀態(tài)而且關(guān)閉輸出緩沖區(qū)(這是 FPM DRAM采取的方式)，而是將輸出數(shù)據(jù)緩沖區(qū)保持開放，直到下一列存取或下一讀周期開 始。由于緩沖區(qū)保持開放，因而EDO消除了等待狀態(tài)，且突發(fā)式傳送更加迅速。 EDO還具有比FPM DRAM的6-3-3-3更快的理想化突發(fā)式讀周期時鐘安排：6-2-2-2。這使得 在66MHz總線上從DRAM中讀取一組由四個元素組成的數(shù)據(jù)塊時能節(jié)省3個時鐘周期。EDO 易于實現(xiàn)，而且在價格上EDO與FPM沒有什么差別，所以沒有理由不選擇EDO。 BEDO DRAM比EDO能更大程度地改善FPM的時鐘周期。由于大多數(shù)PC應用程序以四周期突 發(fā)方式訪問內(nèi)存，以便填充高速緩沖內(nèi)存 (系統(tǒng)內(nèi)存將數(shù)據(jù)填充至L2高速緩存，如果沒有 L2高速緩存，則填充至CPU)，所以一旦知道了第一個地址，接下來的三個就可以很快地由 DRAM提供。BEDO最本質(zhì)的改進是在芯片上增加了一個地址計數(shù)器，用來跟蹤下一個地址。 BEDO還增加了流水線級，允許頁訪問周期被劃分為兩個部分。對于內(nèi)存讀操作，第一部分 負責將數(shù)據(jù)從內(nèi)存陣列中讀至輸出級(第二級鎖存)，第二部分負責從這一鎖存將數(shù)據(jù)總線驅(qū) 動至相應的邏輯級別。因為數(shù)據(jù)已經(jīng)在輸出緩沖區(qū)內(nèi)，所以訪問時間得以縮短。BEDO能達 到的最大突發(fā)式時鐘安排為5-1-1-1(采用52nsBEDO和66-MHz總線)比優(yōu)化EDO內(nèi)存又節(jié)省 了四個時鐘周期。

RAM是如何工作的??
??????? 實際的存儲器結(jié)構(gòu)由許許多多的基本存儲單元排列成矩陣形式，并加上地址選擇及讀寫控制 等邏輯電路構(gòu)成。當CPU要從存儲器中讀取數(shù)據(jù)時，就會選擇存儲器中某一地址，并將該地 址上存儲單元所存儲的內(nèi)容讀走。 早期的DRAM的存儲速度很慢，但隨著內(nèi)存技術(shù)的飛速發(fā)展，隨后發(fā)展了一種稱為快速頁面 模式(Fast Page Mode)的DRAM技術(shù)，稱為FPDRAM。FPM內(nèi)存的讀周期從DRAM陣列中某一行 的觸發(fā)開始，然后移至內(nèi)存地址所指位置的第一列并觸發(fā)，該位置即包含所需要的數(shù)據(jù)。第 一條信息需要被證實是否有效，然后還需要將數(shù)據(jù)存至系統(tǒng)。一旦發(fā)現(xiàn)第一條正確信息，該 列即被變?yōu)榉怯|發(fā)狀態(tài)，并為下一個周期作好準備。這樣就引入了“等待狀態(tài)”，因為在該 列為非觸發(fā)狀態(tài)時不會發(fā)生任何事情(CPU必須等待內(nèi)存完成一個周期)。直到下一周期開始 或下一條信息被請求時，數(shù)據(jù)輸出緩沖區(qū)才被關(guān)閉。在快頁模式中，當預測到所需下一條數(shù) 據(jù)所放位置相鄰時，就觸發(fā)數(shù)據(jù)所在行的下一列。下一列的觸發(fā)只有在內(nèi)存中給定行上進行 順序讀操作時才有良好的效果。 從50納秒FPM內(nèi)存中進行讀操作，理想化的情形是一個以6-3-3-3形式安排的突發(fā)式周期 (6個時鐘周期用于讀取第一個數(shù)據(jù)元素，接下來的每3個時鐘周期用于后面3個數(shù)據(jù)元 素)。第一個階段包含用于讀取觸發(fā)行列所需要的額外時鐘周期。一旦行列被觸發(fā)后，內(nèi)存 就可以用每條數(shù)據(jù)3個時鐘周期的速度傳送數(shù)據(jù)了。 FP RAM雖然速度有所提高，但仍然跟不上新型高速的CPU。很快又出現(xiàn)了EDO RAM和SDRAM等新型高速的內(nèi)存芯片。?

介紹處理器高速緩存的有關(guān)知識?
???????? 所謂高速緩存，通常指的是Level 2高速緩存，或外部高速緩存。L2高速緩存一直都屬于 速度極快而價格也相當昂貴的一類內(nèi)存，稱為SRAM(靜態(tài)RAM)，用來存放那些被CPU頻繁使 用的數(shù)據(jù)，以便使CPU不必依賴于速度較慢的DRAM。 最簡單形式的SRAM采用的是異步設計，即CPU將地址發(fā)送給高速緩存，由緩存查找這個地 址，然后返回數(shù)據(jù)。每次訪問的開始都需要額外消耗一個時鐘周期用于查找特征位。這樣， 異步高速緩存在66MHz總線上所能達到的最快響應時間為3-2-2-2，而通常只能達到4-2-2- 2。同步高速緩存用來緩存?zhèn)魉蛠淼牡刂?，以便把按地址進行查找的過程分配到兩個或更多 個時鐘周期上完成。SRAM在第一個時鐘周期內(nèi)將被要求的地址存放到一個寄存器中。在第 二個時鐘周期內(nèi)，SRAM把數(shù)據(jù)傳送給CPU。由于地址已被保存在一個寄存器中，所以接下來 同步SRAM就可以在CPU讀取前一次請求的數(shù)據(jù)同時接收下一個數(shù)據(jù)地址。這樣，同步SRAM 可以不必另花時間來接收和譯碼來自芯片集的附加地址，就“噴出”連續(xù)的數(shù)據(jù)元素。優(yōu)化 的響應時間在66MHz總線上可以減小為2-1-1-1。 另一種類型的同步SRAM稱為流水線突發(fā)式(pipelined burst)。流水線實際上是增加了一個 用來緩存從內(nèi)存地址讀取的數(shù)據(jù)的輸出級，以便能夠快速地訪問從內(nèi)存中讀取的連續(xù)數(shù)據(jù)， 而省去查找內(nèi)存陣列來獲取下一數(shù)據(jù)元素過程中的延遲。流水線對于順序訪問模式，如高速 緩存的行填充(linefill)最為高效。

什么是ECC內(nèi)存
????? ECC是Error Correction Coding或Error Cheching and Correcting的縮寫，它代表具有 自動糾錯功能的內(nèi)存。目前的ECC存儲器一般只能糾正一位二進制數(shù)的錯誤。 Intel公司的82430HX芯片組可支持ECC內(nèi)存，所以采用82430HX芯片的主板一般都可以安 裝使用ECC內(nèi)存，由于ECC內(nèi)存成本比較高，所以它主要應用在要求系統(tǒng)運算可靠性比較高 的商業(yè)計算機中。 由于實際上存儲器出錯的情況不會經(jīng)常發(fā)生，所以一般的家用計算機不必采用ECC內(nèi)存，還 有不少控制電路芯片不能支持ECC內(nèi)存，所以有不少主機是不宜安裝ECC內(nèi)存的，用戶應注 意對ECC內(nèi)存不要盲從。

SDRAM能與EDO RAM混用嗎
????? SDRAM是新一代的動態(tài)存儲器，又稱為同步動態(tài)存儲器或同步DRAM。它可以與CPU總線使用 同一個時鐘，而EDO和FPM存儲器則與CPU總線是異步的。目前SDRAM存儲器的讀寫周期一 般為5-1-1-1。相比之下，EDO內(nèi)存器一般為6-2-2-2。也就是說，SDRAM的讀寫周期比EDO 少4個，大約節(jié)省存儲器讀寫時間28%，但實際上由于計算機內(nèi)其它設備的制約，使用 SDRAM的計算機大約可提高性能5～10%。 雖然有不少主機支持SDRAM與EDO內(nèi)存混合安裝方式，但是最好不要混用。原因是多數(shù) SDRAM只能在3.3V下工作，而EDO內(nèi)存則多數(shù)在5V下工作。雖然主機板上對DIMM和SIMM 分別供電，但它們的數(shù)據(jù)線總是要連在一起的，如果SIMM(72線內(nèi)存)與DIMM(168線SDRAM) 混用，盡管開始系統(tǒng)可以正常工作，但可能在使用一段時間后，會造成SDRAM的數(shù)據(jù)輸入端 被損壞。 當然，如果你的SDRAM是寬電壓(3V～5V)工作的產(chǎn)品，就不會出現(xiàn)這種損壞情況。目前T1 和SUMSUNG的某些SDRAM產(chǎn)品支持寬電壓工作方式，可以與EDO內(nèi)存混用。

高速緩存--Cache 介紹Cache的分級
????? 隨著CPU的速度的加快，它與動態(tài)存儲器DRAM配合工作時往往需要插入等待狀態(tài)，這樣難 以發(fā)揮出CPU的高速度，也難以提高整機的性能。如果采用靜態(tài)存儲器，雖可以解決該問 題，但SRAM價格高。在同樣容量下，SARM的價格是DRAM的4倍。而且SRAM體積大，集成 度低。 為解決這個問題，在386DX以上的主板中采用了高速緩沖存儲器--Cache技術(shù)。其基本思想 是用少量的SRAM作為CPU與DRAM存儲系統(tǒng)之間的緩沖區(qū)，即Cache系統(tǒng)。 80486以及更高檔微處理器的一個顯著特點是處理器芯片內(nèi)集成了SRAM作為Cache，由于這 些Cache裝在芯片內(nèi)，因此稱為片內(nèi)Cache。486芯片內(nèi)Cache的容量通常為8K。高檔芯片 如Pentium為16KB，Power PC可達32KB。Pentium微處理器進一步改進片內(nèi)Cache，采用 數(shù)據(jù)和雙通道Cache技術(shù)，相對而言，片內(nèi)Cache的容量不大，但是非常靈活、方便，極大 地提高了微處理器的性能。片內(nèi)Cache也稱為一級Cache。 由于486，586等高檔處理器的時鐘頻率很高，一旦出現(xiàn)一級Cache未命中的情況，性能將 明顯惡化。在這種情況下采用的辦法是在處理器芯片之外再加Cache，稱為二級Cache。二 級Cache實際上是CPU和主存之間的真正緩沖。由于系統(tǒng)板上的響應時間遠低于CPU的速 度，如果沒有二級Cache就不可能達到486，586等高檔處理器的理想速度。 二級Cache的容量通常應比一級Cache大一個數(shù)量級以上。在系統(tǒng)設置中，常要求用戶確定 二級Cache是否安裝及尺寸大小等。二級Cache的大小一般為128KB、256KB或512KB。 在486以上檔次的微機中，普遍采用256KB或512KB同步Cache。所謂同步是指Cache和 CPU采用了相同的時鐘周期，以相同的速度同步工作。相對于異步Cache，性能可提高30% 以上。

什么是CACHE存儲器??
??????? 所謂Cache，即高速緩沖存儲器，是位于CPU和主存儲器DRAM(Dynamic RAM)之間的規(guī)模較 小的但速度很高的存儲器，通常由SRAM組成。SRAM(Static RAM)是靜態(tài)存儲器的英文縮 寫。由于SRAM采用了與制作CPU相同的半導體工藝，因此與動態(tài)存儲器DRAM比較，SRAM 的存取速度快，但體積較大，價格很高。由于動態(tài)RAM組成的主存儲器的讀寫速度低于CPU 的速度，而CPU每執(zhí)行一條指令都要訪問一次或多次主存，所以CPU總是要處于等待狀態(tài)， 嚴重地降低了系統(tǒng)的效率。采用Cache之后，在Cache中保存著主存儲器內(nèi)容的部分副本， CPU在讀寫數(shù)據(jù)時，首先訪問Cache。由于Cache的速度與CPU相當，因此CPU就能在零等 待狀態(tài)下迅速地完成數(shù)據(jù)的讀寫。只有Cache中不含有CPU所需的數(shù)據(jù)時，CPU才去訪問主 存。CPU在訪問Cache時找到所需的數(shù)據(jù)稱為命中，否則稱為未命中。因此，訪問Cache的 命中率則成了提高效率的關(guān)鍵。而提高命中率則取決于Cache存儲器的映象方式和Cache內(nèi) 容替換的算法等一系列因素。?

對內(nèi)存擴容時應遵循哪些規(guī)則?
??????? 對內(nèi)存擴充容量時，應遵循下面的一些規(guī)則：
?????? 1.對大多數(shù)PC機來說，不能在同一組Bank內(nèi)(每組包括兩到四個插座)將不同大小的SIMM 條混合在一起。很多PC機都可安裝不同容量的SIMM，但裝在PC機同一組中的所有SIMM必 須具有相同的容量，例如，對一個四插槽組來說，PC機一般既可接受1MB的SIMM條，也可 接受4MB的SIMM條，可在該組的每個槽內(nèi)安裝1MB SIMM，則這一組共可容納4MB內(nèi)存。也 可在該組每個槽內(nèi)安裝4MB SIMM，則這一組共可容納16MB內(nèi)存。但是，不能為了得到10MB 內(nèi)存，在兩個槽內(nèi)插入1MB的SIMM條，而在另兩個槽中插入4MB的SIMM條。
?????? 2.對于很多PC機來說，若把不同速度的SIMM混合在一起，即使它們的容量相同也會帶來麻 煩。例如，計算機中已有運行速度為60納秒(ns)的4MB內(nèi)存，而文檔中說70ns的SIMM也 能工作。如果在母板的空閑內(nèi)存槽中再插入速度為70ns的SIMM條，機器會拒絕引導或在啟 動后不久就陷于崩潰。對于某些機器來說，若把速度低的SIMM放至第一組，則可解決速度 混合問題。計算機會按最低速度存取，剩余部分不會再有用。
?????? 3.對于大多數(shù)PC機來說，必須將一組的所有插槽都插滿。或者將一組全部置空(當然第一組 不行)。在一組中不能只裝一部分。
????? 4.PC機可接受的SIMM大小有一個上限(最大值可從PC機說明書中找到。若沒有說明書，唯 一的方法就是從實踐中找到最大值了)。 何謂30線、72線、168線內(nèi)存條 內(nèi)存條；30線；72線；168線 介紹30線、72線、168線內(nèi)存條的有關(guān)知識及相互之間的區(qū)別 條形存儲器是把一些存儲器芯片焊在一小條印制電路板上做成的，即稱之為內(nèi)存條，所謂內(nèi) 存條線數(shù)即引腳數(shù)，按引腳數(shù)不同可把內(nèi)存條分為30線的內(nèi)存條、72線的內(nèi)存條(SIMM， 即Sigle inline Memory Modale)和168線的內(nèi)存條(DIMM，即Double inline Memory Module)。內(nèi)存條的引腳數(shù)必須與主板上內(nèi)存槽的插腳數(shù)相匹配，內(nèi)存條插槽也有30線、72 線和168線三種。 30線內(nèi)存條提供8位有效數(shù)據(jù)位。常見容量有256KB、1MB和4MB。72線的內(nèi)存條體積稍大，提供32位的有效數(shù)據(jù)位。常見容量有4MB、8MB、16MB和32MB。 按下按鍵你可以看到72線內(nèi)存條的外觀形狀。 168線的內(nèi)存條體積較大，提供64位有效數(shù)據(jù)位。

如何識別Cache存儲器芯片標志
?????? 目前微機系統(tǒng)中，常用的靜態(tài)RAM的容量有8K×8位(64Kbit)、32K×8(256Kbit)位以及 64K×8(512Kbit)位三種芯片，存取時間(周期)為15ns到30ns。以上參數(shù)在靜態(tài)SRAM芯片 上常標注為：XX64-25(XX65-25)、XX256-15(XX257-15)、XX512-15等。 以XX256-15為例，其中“256”表示容量(單位為Kbit)，“15”表示存取時間(單位為 ns)。 在表示SRAM存儲器容量的數(shù)值中，“64”與“65”相同，都表示該芯片的容量為64Kbit， 即8KB。同理，“256”與“257”的含義也相同，即該芯片的容量為32KB。例如在華碩 PVI686SP3主板上使用的SRAM芯片為W24257AK-15，即該芯片的容量為32K×8位，存取速 度為15ns。 如何用軟件的方法檢測Cache？ 檢測；高速緩存；Cache 介紹用軟件檢測Cache的方法 主板上Cache的大小和有無很難用一般方法判斷，尤其是有的主板連BIOS都被不法經(jīng)銷商 修改過以方便作假。486時代常用的拔插法現(xiàn)在也不靈了——奔騰主板上很多標稱256K的 Cache芯片都是直接SMT(表面安裝)上去的，無法拔插。測試Cache的軟件確實有一些，如 CCT等，但普通用戶很難得到這些專業(yè)軟件。