超頻技術(shù)之內(nèi)存“時序”重要參數(shù)設置解說

　　相信大多數(shù)超頻帖子里都會提到內(nèi)存時序調(diào)整，也就是我們經(jīng)?？吹降?-5-5-15 1T、4-5-4-12 2T等等，那么這些參數(shù)都代表什么呢？又應該如何設置合理的參數(shù)呢？以下內(nèi)容將向大家介紹內(nèi)存時序的重要參數(shù)及其設置，希望對大家有用！

　　CPC : Command Per Clock

　　可選的設置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。

　　Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內(nèi)存的尋址，先要進行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時鐘周期。

　　顯然，CPC越短越好。但當隨著主板上內(nèi)存模組的增多，控制芯片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩(wěn)定性。因此當你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時間，才需要將此參數(shù)調(diào)長。目前的大部分主板都會自動設置這個參數(shù)。本文引用自www.jb51.net

　　該參數(shù)的默認值為Disable(2T)，如果玩家的內(nèi)存質(zhì)量很好，則可以將其設置為Enable(1T)。

　　tCL : CAS Latency Control(tCL)

　　可選的設置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。

　　一般我們在查閱內(nèi)存的時序參數(shù)時，如“3-4-4-8”這一類的數(shù)字序列，上述數(shù)字序列分別對應的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個3就是第1個參數(shù)，即CL參數(shù)。

　　CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執(zhí)行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進制的地址，或者說是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應該盡可能設低。

　　內(nèi)存是根據(jù)行和列尋址的，當請求觸發(fā)后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），預充電后，內(nèi)存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）開始進行需要數(shù)據(jù)的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結(jié)束，接著通過CAS訪問所需數(shù)據(jù)的精確十六進制地址。期間從CAS開始到CAS結(jié)束就是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個步驟，也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。

　　這個參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執(zhí)行該指令。同時該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘周期數(shù)。這個參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。必須注意部分內(nèi)存不能運行在較低的延遲，可能會丟失數(shù)據(jù)，因此在提醒大家把CAS延遲設為2或2.5的同時，如果不穩(wěn)定就只有進一步提高它了。而且提高延遲能使內(nèi)存運行在更高的頻率，所以需要對內(nèi)存超頻時，應該試著提高CAS延遲。//本文引用自

　　該參數(shù)對內(nèi)存性能的影響最大，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下，CAS值越低，則會導致更快的內(nèi)存讀寫操作。CL值為2為會獲得最佳的性能，而CL值為3可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能無法設為3。

　　tRCD : RAS to CAS Delay

　　可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

　　該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時序參數(shù)中的第2個參數(shù)，即第1個4。RAS to CAS Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時間"，數(shù)值越小，性能越好。對內(nèi)存進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。在JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時，可以提高系統(tǒng)性能。建議該值設置為3或2，但如果該值設置太低，同樣會導致系統(tǒng)不穩(wěn)定。該值為4時，系統(tǒng)將處于最穩(wěn)定的狀態(tài)，而該值為5，則太保守。

　　如果你的內(nèi)存的超頻性能不佳，則可將此值設為內(nèi)存的默認值或嘗試提高tRCD值。

　　tRAS : Min RAS Active Timing

　　可選的設置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
　　該值就是該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時序參數(shù)中的最后一個參數(shù)，即8。Min RAS Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“內(nèi)存行有效至預充電的最短周期”，調(diào)整這個參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定，一般我們最好設在5－10之間。這個參數(shù)要根據(jù)實際情況而定，并不是說越大或越小就越好。
　　如果tRAS的周期太長，系統(tǒng)會因為無謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會導致已被激活的行地址會更早的進入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設定為CAS latency tRCD 2個時鐘周期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應該設置為7個時鐘周期。為提高系統(tǒng)性能，應盡可能降低tRAS的值，但如果發(fā)生內(nèi)存錯誤或系統(tǒng)死機，則應該增大tRAS的值。

　　tRP : Row Precharge Timing(tRP)

　　可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
　　該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時序參數(shù)中的第3個參數(shù)，即第2個4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內(nèi)存行地址控制器預充電時間"，預充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。

　　tRP用來設定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時間。tRP參數(shù)設置太長會導致所有的行激活延遲過長，設為2可以減少預充電時間，從而更快地激活下一行。然而，想要把tRP設為2對大多數(shù)內(nèi)存都是個很高的要求，可能會造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失，內(nèi)存控制器不能順利地完成讀寫操作。對于桌面計算機來說，推薦預充電參數(shù)的值設定為2個時鐘周期，這是最佳的設置。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘周期，這將影響DDR內(nèi)存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRP值為2而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設定為3個時鐘周期。

　　一般說來，tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的性能，該值為4將在超頻時獲取最佳的穩(wěn)定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分內(nèi)存都無法使用2的值，需要超頻才可以達到該參數(shù)。