內(nèi)存超頻誤區(qū)，您有犯這樣的錯誤么嗎？

　超頻作為DIY玩家們永遠(yuǎn)的追求，誓必要將每一個可超頻的硬件性能發(fā)揮到極致。先前是只對處理器、顯卡進(jìn)行超頻，現(xiàn)就連插在主板上的內(nèi)存也照超不誤了。超頻已經(jīng)成為大家提升硬件價(jià)值的一種常用手段了，于是眾廠商也是挖空心思推出了各種超頻顯卡、內(nèi)存，一時(shí)間超頻成為各大廠商竟相使用的法寶?？墒且姷讲簧偻婕覍Τl內(nèi)存的選購過程中存在不少誤區(qū)，金泰克內(nèi)存在此提醒眾DIY玩家們，內(nèi)存超頻的誤區(qū)主要有以下幾種，切莫掉以輕心，嚴(yán)重的則會危及硬件的壽命及影響電腦性能。

　　誤區(qū)一:帶散熱片的產(chǎn)品更能超頻

　　散熱片更多的是起到了美化產(chǎn)品形象的作用，有的甚至可能成為廠商的“遮羞布”，讓您看不到它所使用的芯片，要知道內(nèi)存芯片才是決定超頻下限的基礎(chǔ)。金泰克速虎系列的低規(guī)格內(nèi)存甚至超過了很多帶有散熱片的高規(guī)格產(chǎn)品就能說明這個問題。所以在選購內(nèi)存時(shí)，有沒有散熱片不是考慮因素，帶散熱片的產(chǎn)品不見得更能超頻。

　　像金士頓、金泰克等品牌內(nèi)存，每顆芯片都是廠家精挑細(xì)選后的優(yōu)秀顆粒，發(fā)熱量小不說，同時(shí)在頻率方面也留有余地，即使不使用任何散熱手段，金泰克速虎內(nèi)存也能有良好的表現(xiàn)，散熱方面更不需要擔(dān)心。

　　誤區(qū)二:相同芯片的不同品牌意味著超頻能力相同

　　對于不同品牌的兩款內(nèi)存條雖然采用了相同的芯片，但它們在超頻性能上是存有差異的，可主要取決于產(chǎn)品的PCB設(shè)計(jì)及選用顆粒的品質(zhì)。現(xiàn)世面上超頻好的顆粒多見現(xiàn)代，三星等，但這些顆粒即使是相同編號它們也是分等級的，這其中品質(zhì)優(yōu)秀的留給自己的原裝內(nèi)存，或者是關(guān)系較好的幾家內(nèi)存廠家。對于關(guān)系一般的廠家采購到的顆粒，就有可能是品質(zhì)次一點(diǎn)的，所以，相同芯片的不同品牌不意味著超頻能力相同。

　　金泰克內(nèi)存品牌雖說是業(yè)界新秀，但是它作為電腦CPU、內(nèi)存、MP3、MP4和存儲卡市場上的知名通路供應(yīng)商鉅鑫電子(現(xiàn)代原廠內(nèi)存代理商)，經(jīng)過5年多技術(shù)和渠道經(jīng)驗(yàn)積累，推出了自有品牌金泰克(KINGTIGER)內(nèi)存，迅速由幕后走到臺前，旗下的內(nèi)存產(chǎn)品全部選用A級極品顆粒。

　　誤區(qū)三:CSP封裝的芯片意味著好超頻

　　CSP封裝在技術(shù)上較TSOP-II更為先進(jìn)，但卻與最終內(nèi)存性能的關(guān)系不大。采用CSP封裝芯片的內(nèi)存，在超頻方面和內(nèi)存優(yōu)化方面不一定就比傳統(tǒng)的TSOP-II芯片模組強(qiáng)。所以大家不要過分迷信CSP封裝，它本身雖然可以達(dá)到比TSOP-II更高的頻率，但對外圍電路的要求和電氣環(huán)境的變化也更苛刻了。采用TSOP封裝的內(nèi)存，超頻能力比CSP封裝更強(qiáng)的情況更為普遍，所以CSP封裝的芯片不意味著好超頻。

　　誤區(qū)四:規(guī)格高的內(nèi)存在優(yōu)化能力上比規(guī)格低的內(nèi)存強(qiáng)

　　從理論上講，DDR500要比DDR400要快，而實(shí)際上卻并不絕對。因?yàn)橛泻芏喔咭?guī)格的內(nèi)存都是靠犧牲時(shí)序優(yōu)化能力來換取的。像DDR500的內(nèi)存條雖然標(biāo)稱頻率更高，但并不能表示它在DDR400下具有更好的優(yōu)化能力。原因很簡單，DDR500所使用的芯片有可能和普通DDR400的芯片是一樣的，在時(shí)序優(yōu)化能力方面并不占優(yōu)，而能達(dá)到DDR500更多的是通過放寬時(shí)序要求來達(dá)到的。所以，規(guī)格高的內(nèi)存在優(yōu)化能力上不見得比規(guī)格低的內(nèi)存強(qiáng)。因此，大家一定要注意這一點(diǎn)，這也體現(xiàn)了兩種不同的選購傾向，是想得到最佳的DDR500性能還是最高的工作頻率。

　　金泰克速虎(SuperTiger)系列DDR400擁有較高的默認(rèn)內(nèi)存延遲，采用的是現(xiàn)代(Hynix)D43顆粒，眾所周知，超頻性能極強(qiáng)，可穩(wěn)定運(yùn)行在DDR500模式。

　　誤區(qū)五:單面內(nèi)存和雙面內(nèi)存在超頻方面一樣

　　其實(shí)不然，單面內(nèi)存比雙面內(nèi)存在超頻方面更有先天優(yōu)勢，這主要取決于芯片組的驅(qū)動負(fù)載能力。單面的內(nèi)存大多為8顆芯片，如目前主流的512MB產(chǎn)品，雙面的為16顆芯片，如目前主流的1GB產(chǎn)品。這就意味著后者需要更大的驅(qū)動能力，雖然工作時(shí)會通過片選信號選中一個P-Bank工作，但不工作的P-Bank仍會增加地址與控制信號線的負(fù)載。

　　所以很明顯的就可看出，8顆芯片總是要比16顆芯片更容易驅(qū)動。此外，芯片的增多，也使PCB上的信號線數(shù)量將是前者的一倍，如果設(shè)計(jì)不良，產(chǎn)生相互干擾的機(jī)率也就大幅度增加，這也可能會影響超頻能力，不過這是相對次要的原因，就模組本身而言，超頻能力更多的取決于芯片。

　　誤區(qū)六:產(chǎn)品參數(shù)設(shè)置最大就好超頻

　　用事實(shí)說話，以DDR400內(nèi)存為例，當(dāng)用3-4-4超不上去時(shí)，就應(yīng)換用By SPD的方法進(jìn)行超頻。有些默認(rèn)CL=2.5的產(chǎn)品，By SPD反而會比3-4-4好超，但有些則不是，默認(rèn)CL=3的產(chǎn)品，By SPD與3-4-4都差不多，可能會有1、2MHz的區(qū)別。筆者估計(jì)這應(yīng)該是芯片所體現(xiàn)出來的差異。CL是一個唯一在內(nèi)存初始化時(shí)寫入芯片內(nèi)模式寄存的參數(shù)(tRCD、tRP只需北橋控制即可)，所以它的值與芯片本身固有的可調(diào)整范圍就需要匹配，如果芯片本身的局限性較大，那么調(diào)高CL值反而會造成內(nèi)存子系統(tǒng)的不穩(wěn)定而導(dǎo)致不能開機(jī)。所以，3-4-4雖然是一個超頻時(shí)常用的設(shè)置，但如果遇到一點(diǎn)也不能超時(shí)，建議改用By SPD試一試，可能會有驚喜。所以，有些產(chǎn)品參數(shù)設(shè)置最大可不見得就好超頻。

　　看了上面介紹的幾大內(nèi)存超頻誤區(qū)，希望您在選購超頻內(nèi)存時(shí)能走出這個誤區(qū)，挑選到一款您心儀的強(qiáng)勁的超值內(nèi)存產(chǎn)品，讓您的PC發(fā)揮最大的性能。