DDRⅡ極品內(nèi)存顆粒急速超頻詮釋

　　之前看過這篇文章，感覺對超頻的兄弟非常實(shí)用，只可惜從《微型計(jì)算機(jī)》上面及其他的途徑無法找到轉(zhuǎn)貼，再加上本人空閑時(shí)間并不充足，7雪于是乎開始了漫長的碼字，功夫不負(fù)有心人，終究排列出這樣一張貼子。敬請各位ＸＤＪＭ們找一本《微型計(jì)算機(jī)》半月刊看看原文，見07年第一期《頻率、時(shí)序都不可忽略→DDR2內(nèi)存超頻私家秘笈》(作者陳濱)

　　DDRⅡ內(nèi)存取代DDR內(nèi)存已成定局，除了一般用戶都向DDRⅡ看齊外，不少熱衷于超頻的玩家也將目光轉(zhuǎn)向了DDRⅡ平臺(tái)，但是面對當(dāng)前規(guī)格眾多、品牌復(fù)雜的DDRⅡ內(nèi)存品牌，究間要如何選擇才能找到“完美”的極品內(nèi)存？如何才能讓這樣的極品內(nèi)存發(fā)揮出最大潛力？下面就讓我們一起來體驗(yàn)DDRⅡ平臺(tái)的急速超頻之旅。

找尋急速DDRⅡ內(nèi)存顆粒
　　仔細(xì)觀察內(nèi)存條一般都能見到上面的顆粒編號(hào)(有散熱版需拆開才能看到)，上面印刷的幾排數(shù)字＋字母組合就是我們選擇的關(guān)鍵依據(jù)，但面對各個(gè)品牌顆粒繁雜的含義您不必頭暈，其實(shí)選擇超頻質(zhì)量好的顆粒只要解讀最關(guān)鍵的一個(gè)編碼——顆粒代號(hào)，現(xiàn)將一些常見品質(zhì)較好的DDRⅡ內(nèi)存顆粒及識(shí)別編碼歸納如下：
　　海力士(Hynix)，常用于創(chuàng)見、威剛、超勝三大品牌產(chǎn)品之中。常見顆粒代號(hào)C4(533-4-4-4)、C5(533-5-5-5)、Y5(667-5-5-5)、S5(800-5-5-5)、S6(800-6-6-6)，顆粒代號(hào)位置第12、13位，超步能力評價(jià)為較好。
　　三星(Samsung)，常見于金士頓、創(chuàng)見、宇瞻三大品牌產(chǎn)品之中。常見顆粒代號(hào)D5(533-4-4-4)、E6(667-5-5-5)、E7(800-5-5-5)，顆粒代號(hào)位置為倒數(shù)第4、5位，超頻能力強(qiáng)。
　　英飛凌(Infineon)，常見于金士頓、宇瞻二大品牌產(chǎn)品之中。常見顆粒代號(hào)3.7(533-4-4-4)、3(667-4-4-4)，最后2位是其代號(hào)位置，超頻能力較好。
　　美光(Micron)，多見于海盜船、金邦、金士頓、黑金剛等超頻內(nèi)存產(chǎn)品之中，常見顆粒代號(hào)FBGA D9、D9GKX、D9GHM、D9DCN，超能力強(qiáng)。
　　爾必達(dá)(Elpida)，Kingmax、金邦、威剛、黑金剛等品牌產(chǎn)品中容易看到，常見顆粒代號(hào)5C(533-4-4-4)、6E(667-5-5-5)、GE(800-5-5-5)，顆粒代號(hào)位置是倒數(shù)2、3位，超頻能力較好。
　　由此可以看出，除美光外其他顆粒品牌均能找到符合規(guī)律的編號(hào)，因此對于美光顆粒的識(shí)別需從另外角度來識(shí)別。美光超頻性能特別優(yōu)異的幾款顆粒：最早的“Fatboy D9”的大D9顆粒(即FBGA D9)，再到隨后的D9GKX、D9GHM、D9DCN等小D9顆粒等，其中五位編號(hào)特征均含有“D9”，所以也被稱為“D9”顆粒，我們辨別的主要依據(jù)這個(gè)特點(diǎn)來進(jìn)行。

　　眾所周知，內(nèi)存的超頻能力除了和內(nèi)存顆粒有莫大關(guān)系外，也和內(nèi)存PCB及電氣設(shè)計(jì)等多個(gè)方面有緊密聯(lián)系。陳濱認(rèn)為，玩家口中的極品內(nèi)存都有以下幾個(gè)特點(diǎn)：
　　1.品質(zhì)優(yōu)秀的顆?！哳l率、低延遲無疑是對極品顆粒的完美追求，但要實(shí)現(xiàn)此目標(biāo)很大程度上取決于顆粒的體質(zhì)，因此選購優(yōu)質(zhì)顆粒的內(nèi)存可以為內(nèi)存的急速狂飆帶來更大空間。
　　2.良好的做工——優(yōu)質(zhì)的PCB板、基板的良好布線設(shè)計(jì)以及漂亮的焊接等工藝不僅給內(nèi)存的穩(wěn)定工作帶來保證，也為內(nèi)存性能的充分發(fā)揮提供保障。
　　3.品牌檔次——不論原廠還是貼牌品牌，都對其產(chǎn)品進(jìn)行了檔次劃分。而各品牌的高檔次型號(hào)內(nèi)存不僅會(huì)精以挑選極品顆粒，并且還具備優(yōu)秀的電氣性能和一流的做工。陳濱在此將針對不同應(yīng)用的常見內(nèi)存品牌和型號(hào)大致作出總結(jié)?！　￡悶I大俠的個(gè)人意見是：①辦公、家用(DDRⅡ667/533)建議考慮金士頓、創(chuàng)見、金邦、威剛(萬紫千紅系列)、黑金剛、金泰克(速虎系列)；②游戲超頻(DDRⅡ800/667)推薦考慮黑金剛(悍將系列)、英飛凌、金士頓(Hyper-X系列)、海盜船(XMS系列)、威剛(紅色威龍系列)、宇瞻(爾必達(dá)顆粒)、Kingmax(爾必達(dá)顆粒)、金邦(800Ultra)、金泰克(磐虎系列)。

急速DDRⅡ平臺(tái)搭建
　　在選擇了體質(zhì)優(yōu)秀的內(nèi)存后，還需要搭配一個(gè)好的平臺(tái)才使其性能得到最大發(fā)揮。我們知道，AMD平臺(tái)由于處理器集成內(nèi)存控制器技術(shù)的特點(diǎn)讓極品DDRⅡ內(nèi)存能更好地發(fā)揮威力，而Intel平臺(tái)在內(nèi)存的升級性和靈活性等方面具有優(yōu)勢，但需注意主板平臺(tái)的挑選——能支持的高規(guī)格內(nèi)存、超頻設(shè)計(jì)優(yōu)秀的主板才能充分發(fā)揮出Intel平臺(tái)下內(nèi)存的急速性能。
　　主板芯片組產(chǎn)品線從來都是紛繁復(fù)雜，各個(gè)時(shí)代的平臺(tái)芯片組都曾誕生過無數(shù)經(jīng)典產(chǎn)品，面對如今新的DDRⅡ平臺(tái)，誰又是笑傲沙場的悍將？我們來稍做點(diǎn)評。
　　Intel P4/PD平臺(tái)
　　從內(nèi)存帶寬來看，前端總線(FSB)為800MHz的P4/PD平臺(tái)要搭配雙通道DDR400以上即可達(dá)到要求，而在如今的DDRⅡ平臺(tái)下，只需要雙通道DDRⅡ533就能輕松滿足帶寬。故其在芯片組選擇上比較靈活——各廠商的DDRⅡ平臺(tái)芯片組均能成為理想搭配。在超頻性能方面考慮主要取決于主板的超頻設(shè)計(jì)，其中尤其以Intel 955X以及nVIDIA的nForce4 IE(C19)最受推祟。比如華碩P5WD2 Premium各P5ND2-SLi一直以來是這兩款芯片組絕佳超頻性的經(jīng)典代表，多次打破并保持曾經(jīng)的世界超頻記錄！
　　Intel Core 2 Duo平臺(tái)
　　雖然很多老Intel芯片組都號(hào)稱支持Core 2 Duo處理器，但無論在搭配還是內(nèi)存帶寬要求上都無法完美配合。因此Core 2 Duo的最佳搭配芯片組除了Intel自家的965/975系列外，就只剩下nVIDIA的nForce 680 SLi芯片組了。這些芯片組不僅能夠支持1066MHz的FSB頻率(而680 SLi能支持更高規(guī)格的1333MHz)各雙通道DDRⅡ800來滿足Core 2 Duo的帶寬要求(實(shí)際上Conroe核心的處理器在默認(rèn)頻率下只需要DDRⅡ533即可滿足其數(shù)據(jù)帶寬要求)，也圓了超頻時(shí)采用同步內(nèi)存頻率的夢想。但作為超頻考慮需要注意，目前nForce 680 SLi尚未大量鋪貨，而Intel 965/975芯片組中有只有高端主板才具備優(yōu)良的超頻性能。比如技嘉的GA-965P-DQ6就給人留下了深刻印象——能夠?qū)ntel Core 2 Duo E6300在主頻及外頻上均翻了一番！
　　AMD AM2平臺(tái)
　　新的DDRⅡ平臺(tái)下，我們不僅能選擇nVIDIA的nForce5，也能讓改進(jìn)支持AM2及DDRⅡ的nForce4發(fā)揮余熱。另外，由于AMD的內(nèi)存控制集成方案使得內(nèi)存搭配需與CPU一起考慮，比如940針的閃龍/速龍支持雙通道DDRⅡ667，相應(yīng)內(nèi)存搭配也最好為DDRⅡ667。在超頻性方面，nF4/nF5以及K8T890普遍都具備不錯(cuò)的素質(zhì)，就算購買500元以內(nèi)的低端主板也能享受到不少的超頻驚喜，這一點(diǎn)大家應(yīng)該能得到深刻滴體會(huì)。而說到站在AM2平臺(tái)巔峰的主板，就不能不提鉆石(DFI)的LanParty系列和華碩的M2-Crosshair系列，相信這些頂級主板都是每個(gè)AMD骨灰級Fans的夢想。

急速DDRⅡ超頻設(shè)置
　　面對DDRⅡ平臺(tái)，那么應(yīng)該如何設(shè)置才能享受到內(nèi)存急速飛飚的快感呢？答案無疑是超頻！關(guān)于超頻的文章數(shù)不勝數(shù)，在此不再贅述。我們重點(diǎn)來討論一下DDRⅡ平臺(tái)下要發(fā)揮出系統(tǒng)及內(nèi)存性能極限而需要注意的概念和設(shè)置。
　　內(nèi)存超頻目標(biāo)——頻率與時(shí)序
　　Intel由于采用外部內(nèi)存控制結(jié)構(gòu)使得芯片組對內(nèi)存時(shí)序的敏感程度大為降低，因此頻率才是提升性能的最有效途徑，而時(shí)序在Intel的DDRⅡ平臺(tái)中的地位變得次要；而AM2平臺(tái)由于采用內(nèi)部控制器，對時(shí)序相對敏感，但前提是在頻率得以提升的情況下再考慮時(shí)序。另外，目前DDRⅡ內(nèi)存延時(shí)普遍較高，因此在AM2平臺(tái)下，內(nèi)存頻率帶寬的提高所帶來的性能提升可能還不如內(nèi)存延時(shí)所降低性能的影響，這也決定了AM2平臺(tái)只有搭配較高頻率且延遲較低的優(yōu)秀內(nèi)存才能體現(xiàn)出系統(tǒng)性能提升。
　　另外還需要注意的是，雖然對于兩大平臺(tái)來說頻率固然比時(shí)序重要，但首先考慮的是FSB對數(shù)據(jù)帶寬的需求，即在FSB不成為瓶頸的基礎(chǔ)上才能考慮到頻率的提升以及時(shí)序的優(yōu)化的取舍，以頻率的提升為重點(diǎn)，而當(dāng)FSB頻率成為瓶頸時(shí)，則可優(yōu)先考慮優(yōu)化時(shí)序。
　　兩大平臺(tái)超頻思路及設(shè)置
　　Intel Core 2 Duo平臺(tái)
　　Intel平臺(tái)超頻首先得心優(yōu)秀超頻設(shè)計(jì)的主板為后盾，再以優(yōu)質(zhì)內(nèi)存(優(yōu)先考慮高頻內(nèi)存產(chǎn)品)為武器后才能充分發(fā)揮潛力，同時(shí)設(shè)置中需要注意以下幾個(gè)問題。
　　√內(nèi)存異步——優(yōu)先提升頻率
　　Intel平臺(tái)，無論是P4、PD還是Core 2 Duo，一切性能提升的關(guān)鍵首先取決于CPU頻率，根據(jù)實(shí)際測試來看，在CPU同頻率下，DDRⅡ800僅比DDRⅡ667系統(tǒng)提高3%至10%，因此超頻首要考慮提升CPU頻率，然后再通過異步設(shè)置降低內(nèi)存要求。如Core 2 Duo E6300(7X266MHz外頻=1862MHz)，當(dāng)外頻被超到350MHz時(shí)，若內(nèi)存設(shè)置為同步，則內(nèi)存頻率也為350MHz(DDRⅡ700)，此時(shí)普通DDRⅡ533或667內(nèi)存則可能因無法工作而影響CPU頻率的進(jìn)一步提升。但只要把內(nèi)存異步設(shè)置為5：4或者4：3后，內(nèi)存就能工作在280MHz(DDRⅡ560)或(DDRⅡ525)，即將原本DDRⅡ533的內(nèi)存設(shè)置為DDRⅡ400或者將原本DDRⅡ667的內(nèi)存設(shè)置為DDRⅡ533。
　　當(dāng)要設(shè)置內(nèi)存異步時(shí)，在主板BIOS的“DRAM Frequency”選項(xiàng)(不同主板可能有不同設(shè)置選項(xiàng)，但意思相近)中，根據(jù)內(nèi)存的具體規(guī)格設(shè)置相應(yīng)內(nèi)存頻率即可(DDRⅡ400至1067MHz可選)。但有些主板可能未明確標(biāo)示出比率，而是以內(nèi)存頻率標(biāo)示，那么可按此規(guī)律計(jì)算一下：如Core 2 Duo E6300默認(rèn)為266MHz外頻，那么在此頂中選DDRⅡ400則為4：3，選DDRⅡ533就為1：1，DDRⅡ667即為4：5，DDRⅡ800為2：3……依此類推。
　　總之，超頻思路首先是通過異步方式降低內(nèi)存的影響來提升CPU頻率，這樣便不會(huì)因內(nèi)存品質(zhì)影響到CPU發(fā)揮。當(dāng)把CPU頻率極限探知后，再靈活使用異步調(diào)整內(nèi)存頻率來沖擊內(nèi)存穩(wěn)定工作的最佳極限。
　　√雙通道組建
　　Core 2 Duo處理器的1066MHz前端總線頻率使得帶寬需求高達(dá)8.6GB/秒，已超過DDRⅡ800所提供的6.4GB/秒，因此組建雙通道對于Intel Core 2 Duo平臺(tái)而言是具有重要意義的。尤其是設(shè)置了異步內(nèi)存頻率超頻后，雙通道更能有效緩解帶寬瓶頸。
　　組建雙通道時(shí)也需要注意，此前Intel平臺(tái)一直對雙通道內(nèi)存的要求比較嚴(yán)格，兩根內(nèi)存條組雙難道時(shí)不僅要求容量相同，而且要求顆粒參數(shù)都要盡量一致才能保持穩(wěn)定工作。到了Intel 965/975芯片組，Intel正式提出了FMT技術(shù)來改善內(nèi)存兼容性，解決了這個(gè)麻煩問題。不過還是建議大家在組建雙通道的時(shí)候，還是盡可能使用同一品牌、相同容量和頻率、甚至顆粒參數(shù)都基本一致的產(chǎn)品。
　　√頻率大于時(shí)序
　　Intel的內(nèi)存控制方案使得數(shù)據(jù)交換需通過主板北橋芯片，這樣就給CPU訪問內(nèi)存帶來更高的延時(shí)，此先天因素決定了內(nèi)存時(shí)序的調(diào)節(jié)對整體性能的影響并不會(huì)太大。所以，對于Intel平臺(tái)的內(nèi)存調(diào)節(jié)我們要優(yōu)先考慮頻率，原則上只要大于超頻后CPU對帶寬的要求即可。如Core 2 Duo E6300，當(dāng)外頻超到350MHz后，F(xiàn)SB頻率提升到1400MHz，其帶寬要求高達(dá)約11.3GB/秒，顯然，此時(shí)只有組建雙通道DDRⅡ800(12.8GB/秒)才能充分滿足其帶寬需求。

　　AMD平臺(tái)設(shè)置
　　陳濱個(gè)人認(rèn)為，當(dāng)前主流AMD平臺(tái)才上充分挖掘DDRⅡ潛力的好舞臺(tái)。大多數(shù)AM2主板(包括很多低端產(chǎn)品)都具備產(chǎn)錯(cuò)的超頻素質(zhì)，這給了超頻Fans們一個(gè)良好的發(fā)揮平臺(tái)。另外由于CPU內(nèi)部內(nèi)存控制器的集成而使每一項(xiàng)內(nèi)存參數(shù)的優(yōu)化都可能給內(nèi)存性能增添一筆亮點(diǎn)！下面我們就來看一看怎樣才能充分發(fā)揮AMD平臺(tái)上的DDRⅡ性能潛力。
　　√同步超頻，極品顆粒試金石
　　由于AM2平臺(tái)CPU集成內(nèi)存控制器，因此AMD平臺(tái)只能通過同步內(nèi)存方式超頻來提升內(nèi)存潛能(當(dāng)然也可以設(shè)置內(nèi)存異步選項(xiàng)，但會(huì)給系統(tǒng)造成不穩(wěn)定，值得注意！)，對內(nèi)存的要求提高了很多。比如當(dāng)前AMD熱門的速龍64 X2 3800＋(200MHzX10倍頻=2000MHz)，其內(nèi)部內(nèi)存控制器為DDRⅡ800，因此默認(rèn)標(biāo)配內(nèi)存的實(shí)際工作頻率為400MHz，一旦超頻后其對內(nèi)存頻率要求可謂之高！而目前市面上不少X2 3800＋處理器都能超到250MHz以上，此時(shí)內(nèi)存頻率高達(dá)500MHz(DDR1000)以上！因此只有采用品質(zhì)優(yōu)秀的極品內(nèi)存才能發(fā)揮出系統(tǒng)的超頻潛能，這也讓AM2平臺(tái)成為極品內(nèi)存顆粒的試煉場(美光D9等極品顆粒也因此而受廣大AMD的粉絲所追捧)。
　　√內(nèi)存分頻需注意
　　當(dāng)我們習(xí)慣性地把內(nèi)存頻率設(shè)置為DDRⅡ533、DDRⅡ667和DDRⅡ800模式后，你會(huì)發(fā)覺真實(shí)的內(nèi)存頻率并不以“內(nèi)存：CPU”的比例來實(shí)現(xiàn)，而是根據(jù)公式“內(nèi)存頻率=CPU÷分頻”來計(jì)算內(nèi)存頻率的，2G以下的速龍64(包括速龍64 X2系列)處理器的分頻方式如下：
　?、俦额l為10的處理器，內(nèi)存設(shè)置頻率為DDRⅡ400時(shí)實(shí)際內(nèi)存頻率為外頻X倍頻÷10，DDRⅡ533為外頻X倍頻÷8，DDRⅡ667為外頻X倍頻÷6，DDRⅡ800為外頻X倍頻÷5；
　?、诒额l為9的處理器，內(nèi)存設(shè)置頻率為DDRⅡ400時(shí)實(shí)際內(nèi)存頻率為外頻X倍頻÷9，DDRⅡ533為外頻X倍頻÷7，DDRⅡ667為外頻X倍頻÷6，DDRⅡ800為外頻X倍頻÷5；
　?、郾额l為8的處理器，內(nèi)存設(shè)置頻率為DDRⅡ400時(shí)實(shí)際內(nèi)存頻率為外頻X倍頻÷8，DDRⅡ533為外頻X倍頻÷6，DDRⅡ667為外頻X倍頻÷5，DDRⅡ800為外頻X倍頻÷5；
　?、鼙额l為7的處理器，內(nèi)存設(shè)置頻率為DDRⅡ400時(shí)實(shí)際內(nèi)存頻率為外頻X倍頻÷7，DDRⅡ533為外頻X倍頻÷6，DDRⅡ667為外頻X倍頻÷5，DDRⅡ800為外頻X倍頻÷5。
　　要進(jìn)行同步超頻設(shè)置時(shí)，只需在BIOS的內(nèi)存設(shè)置選項(xiàng)中將“DRAM Frequency”項(xiàng)根據(jù)CPU集成控制器的類型以及內(nèi)存的型號(hào)(最好是規(guī)格相同)選擇相應(yīng)的頻率即可。如閃龍/速龍需選擇DDRⅡ667，速龍64 X2處理器則選擇DDRⅡ800，然后在CPU超頻項(xiàng)中逐步提高CPU頻率。但需要注意：此時(shí)CPU的頻率與內(nèi)存是同步提高的，因此需根據(jù)上述分頻公式計(jì)算出內(nèi)存實(shí)際頻率——例如X2 3800＋超到250MHz外頻時(shí)，對照公式可算出內(nèi)存頻率為250MHzX10÷5=500MHz(即DDR1000)，以免因內(nèi)存體質(zhì)影響CPU發(fā)揮。
　　另外不少AM2主板也提供異步設(shè)置項(xiàng)(即在頻率中選擇不對應(yīng)的規(guī)格內(nèi)存)，但實(shí)際使用中發(fā)現(xiàn)設(shè)置異步后系統(tǒng)無法長時(shí)間穩(wěn)定工作，并且會(huì)給超頻造成很大麻煩。
　　√頻率為前提，優(yōu)化時(shí)序參數(shù)
　　正是由于AMD雙核處理器先天的低延遲內(nèi)存控制機(jī)制使其對內(nèi)存參數(shù)的控制較敏感，從以往經(jīng)驗(yàn)來判斷，速龍64平臺(tái)對內(nèi)存頻率及時(shí)序的優(yōu)化都有不錯(cuò)的效果，那么究竟如何取舍高頻率和低延遲呢？
　　根據(jù)陳濱個(gè)人測試的結(jié)果來看，從DDRⅡ533到DDRⅡ800，每一檔次頻率的提升都能給系統(tǒng)帶來15%左右的性能提升。因此，AMD平臺(tái)下DDRⅡ內(nèi)存性能提升的思路應(yīng)當(dāng)首先以同步頻率提升為前提，然后再調(diào)節(jié)內(nèi)存在穩(wěn)定狀態(tài)下的最優(yōu)化時(shí)序參數(shù)，這點(diǎn)和Intel平臺(tái)下的頻率至上原則不太一樣。
　　√關(guān)于雙通道設(shè)置
　　由于AMD的HT總線速度對整體性能影響不大，因此AM2平臺(tái)(尤其是低端平臺(tái))在雙通道的組建問題上相對于Intel平臺(tái)而言迫切性不是很大，但雙通道對于超頻后的速龍64 X2雙核平臺(tái)還是有積極意義的，畢竟雙核的多任務(wù)環(huán)境及超頻后對內(nèi)存的帶寬需求都將大幅增加。

寫在最后
　　坦白地講，對任何一個(gè)超頻愛好者來說，超頻內(nèi)存都是一把雙刃劍——好則大幅提升系統(tǒng)性能，反之則阻礙系統(tǒng)整體性能的提升。內(nèi)存顆粒品質(zhì)、內(nèi)存電路板布局與設(shè)計(jì)以及BIOS參數(shù)調(diào)節(jié)，這三者都對內(nèi)存超頻成績有著直接的影響。只要選擇口碑好的內(nèi)存顆粒與品牌，針對Intel與AMD不一樣的內(nèi)存控制方式設(shè)置適當(dāng)超頻參數(shù)，相信大家能讓DDRⅡ內(nèi)存和整體性能攀上一個(gè)新的臺(tái)階！不過有一點(diǎn)仍然需要提醒大家，那就是內(nèi)存頻率、時(shí)序參數(shù)與CPU頻率的取舍問題。筆者認(rèn)為，CPU的頻率提升帶來的整體系統(tǒng)性能上升要比內(nèi)存頻率提升或時(shí)序參數(shù)的優(yōu)化有更明顯的效果，因此我們的基本思路就是在極限CPU頻率之下來找尋內(nèi)存的最強(qiáng)工作狀態(tài)，這也是陳濱個(gè)人超頻內(nèi)存的基本思路。
　　本文中，陳濱個(gè)人以自身的些許經(jīng)驗(yàn)為您登上DDRⅡ平臺(tái)急速列車打下了一定地基礎(chǔ)，那么在搭乘上DDRⅡ急速之旅這趟列車之后，剩下的就應(yīng)該是讀者您親自去體驗(yàn)啦～！