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DDRⅡ極品內(nèi)存顆粒急速超頻詮釋

來(lái)源:番茄系統(tǒng)家園瀏覽:時(shí)間:2022-10-14 17:53:22
  之前看過(guò)這篇文章,感覺(jué)對(duì)超頻的兄弟非常實(shí)用,只可惜從《微型計(jì)算機(jī)》上面及其他的途徑無(wú)法找到轉(zhuǎn)貼,再加上本人空閑時(shí)間并不充足,7雪于是乎開(kāi)始了漫長(zhǎng)的碼字,功夫不負(fù)有心人,終究排列出這樣一張貼子。敬請(qǐng)各位XDJM們找一本《微型計(jì)算機(jī)》半月刊看看原文,見(jiàn)07年第一期《頻率、時(shí)序都不可忽略→DDR2內(nèi)存超頻私家秘笈》(作者陳濱)

  DDRⅡ內(nèi)存取代DDR內(nèi)存已成定局,除了一般用戶都向DDRⅡ看齊外,不少熱衷于超頻的玩家也將目光轉(zhuǎn)向了DDRⅡ平臺(tái),但是面對(duì)當(dāng)前規(guī)格眾多、品牌復(fù)雜的DDRⅡ內(nèi)存品牌,究間要如何選擇才能找到“完美”的極品內(nèi)存?如何才能讓這樣的極品內(nèi)存發(fā)揮出最大潛力?下面就讓我們一起來(lái)體驗(yàn)DDRⅡ平臺(tái)的急速超頻之旅。

找尋急速DDRⅡ內(nèi)存顆粒
  仔細(xì)觀察內(nèi)存條一般都能見(jiàn)到上面的顆粒編號(hào)(有散熱版需拆開(kāi)才能看到),上面印刷的幾排數(shù)字+字母組合就是我們選擇的關(guān)鍵依據(jù),但面對(duì)各個(gè)品牌顆粒繁雜的含義您不必頭暈,其實(shí)選擇超頻質(zhì)量好的顆粒只要解讀最關(guān)鍵的一個(gè)編碼——顆粒代號(hào),現(xiàn)將一些常見(jiàn)品質(zhì)較好的DDRⅡ內(nèi)存顆粒及識(shí)別編碼歸納如下:
  海力士(Hynix),常用于創(chuàng)見(jiàn)、威剛、超勝三大品牌產(chǎn)品之中。常見(jiàn)顆粒代號(hào)C4(533-4-4-4)、C5(533-5-5-5)、Y5(667-5-5-5)、S5(800-5-5-5)、S6(800-6-6-6),顆粒代號(hào)位置第12、13位,超步能力評(píng)價(jià)為較好。
  三星(Samsung),常見(jiàn)于金士頓、創(chuàng)見(jiàn)、宇瞻三大品牌產(chǎn)品之中。常見(jiàn)顆粒代號(hào)D5(533-4-4-4)、E6(667-5-5-5)、E7(800-5-5-5),顆粒代號(hào)位置為倒數(shù)第4、5位,超頻能力強(qiáng)。
  英飛凌(Infineon),常見(jiàn)于金士頓、宇瞻二大品牌產(chǎn)品之中。常見(jiàn)顆粒代號(hào)3.7(533-4-4-4)、3(667-4-4-4),最后2位是其代號(hào)位置,超頻能力較好。
  美光(Micron),多見(jiàn)于海盜船、金邦、金士頓、黑金剛等超頻內(nèi)存產(chǎn)品之中,常見(jiàn)顆粒代號(hào)FBGA D9、D9GKX、D9GHM、D9DCN,超能力強(qiáng)。
  爾必達(dá)(Elpida),Kingmax、金邦、威剛、黑金剛等品牌產(chǎn)品中容易看到,常見(jiàn)顆粒代號(hào)5C(533-4-4-4)、6E(667-5-5-5)、GE(800-5-5-5),顆粒代號(hào)位置是倒數(shù)2、3位,超頻能力較好。
  由此可以看出,除美光外其他顆粒品牌均能找到符合規(guī)律的編號(hào),因此對(duì)于美光顆粒的識(shí)別需從另外角度來(lái)識(shí)別。美光超頻性能特別優(yōu)異的幾款顆粒:最早的“Fatboy D9”的大D9顆粒(即FBGA D9),再到隨后的D9GKX、D9GHM、D9DCN等小D9顆粒等,其中五位編號(hào)特征均含有“D9”,所以也被稱為“D9”顆粒,我們辨別的主要依據(jù)這個(gè)特點(diǎn)來(lái)進(jìn)行。

DDRⅡ極品內(nèi)存顆粒急速超頻詮釋

DDRⅡ極品內(nèi)存顆粒急速超頻詮釋

  眾所周知,內(nèi)存的超頻能力除了和內(nèi)存顆粒有莫大關(guān)系外,也和內(nèi)存PCB及電氣設(shè)計(jì)等多個(gè)方面有緊密聯(lián)系。陳濱認(rèn)為,玩家口中的極品內(nèi)存都有以下幾個(gè)特點(diǎn):
  1.品質(zhì)優(yōu)秀的顆粒——高頻率、低延遲無(wú)疑是對(duì)極品顆粒的完美追求,但要實(shí)現(xiàn)此目標(biāo)很大程度上取決于顆粒的體質(zhì),因此選購(gòu)優(yōu)質(zhì)顆粒的內(nèi)存可以為內(nèi)存的急速狂飆帶來(lái)更大空間。
  2.良好的做工——優(yōu)質(zhì)的PCB板、基板的良好布線設(shè)計(jì)以及漂亮的焊接等工藝不僅給內(nèi)存的穩(wěn)定工作帶來(lái)保證,也為內(nèi)存性能的充分發(fā)揮提供保障。
  3.品牌檔次——不論原廠還是貼牌品牌,都對(duì)其產(chǎn)品進(jìn)行了檔次劃分。而各品牌的高檔次型號(hào)內(nèi)存不僅會(huì)精以挑選極品顆粒,并且還具備優(yōu)秀的電氣性能和一流的做工。陳濱在此將針對(duì)不同應(yīng)用的常見(jiàn)內(nèi)存品牌和型號(hào)大致作出總結(jié)?! £悶I大俠的個(gè)人意見(jiàn)是:①辦公、家用(DDRⅡ667/533)建議考慮金士頓、創(chuàng)見(jiàn)、金邦、威剛(萬(wàn)紫千紅系列)、黑金剛、金泰克(速虎系列);②游戲超頻(DDRⅡ800/667)推薦考慮黑金剛(悍將系列)、英飛凌、金士頓(Hyper-X系列)、海盜船(XMS系列)、威剛(紅色威龍系列)、宇瞻(爾必達(dá)顆粒)、Kingmax(爾必達(dá)顆粒)、金邦(800Ultra)、金泰克(磐虎系列)。

急速DDRⅡ平臺(tái)搭建
  在選擇了體質(zhì)優(yōu)秀的內(nèi)存后,還需要搭配一個(gè)好的平臺(tái)才使其性能得到最大發(fā)揮。我們知道,AMD平臺(tái)由于處理器集成內(nèi)存控制器技術(shù)的特點(diǎn)讓極品DDRⅡ內(nèi)存能更好地發(fā)揮威力,而Intel平臺(tái)在內(nèi)存的升級(jí)性和靈活性等方面具有優(yōu)勢(shì),但需注意主板平臺(tái)的挑選——能支持的高規(guī)格內(nèi)存、超頻設(shè)計(jì)優(yōu)秀的主板才能充分發(fā)揮出Intel平臺(tái)下內(nèi)存的急速性能。
  主板芯片組產(chǎn)品線從來(lái)都是紛繁復(fù)雜,各個(gè)時(shí)代的平臺(tái)芯片組都曾誕生過(guò)無(wú)數(shù)經(jīng)典產(chǎn)品,面對(duì)如今新的DDRⅡ平臺(tái),誰(shuí)又是笑傲沙場(chǎng)的悍將?我們來(lái)稍做點(diǎn)評(píng)。
  Intel P4/PD平臺(tái)
  從內(nèi)存帶寬來(lái)看,前端總線(FSB)為800MHz的P4/PD平臺(tái)要搭配雙通道DDR400以上即可達(dá)到要求,而在如今的DDRⅡ平臺(tái)下,只需要雙通道DDRⅡ533就能輕松滿足帶寬。故其在芯片組選擇上比較靈活——各廠商的DDRⅡ平臺(tái)芯片組均能成為理想搭配。在超頻性能方面考慮主要取決于主板的超頻設(shè)計(jì),其中尤其以Intel 955X以及nVIDIA的nForce4 IE(C19)最受推祟。比如華碩P5WD2 Premium各P5ND2-SLi一直以來(lái)是這兩款芯片組絕佳超頻性的經(jīng)典代表,多次打破并保持曾經(jīng)的世界超頻記錄!
  Intel Core 2 Duo平臺(tái)
  雖然很多老Intel芯片組都號(hào)稱支持Core 2 Duo處理器,但無(wú)論在搭配還是內(nèi)存帶寬要求上都無(wú)法完美配合。因此Core 2 Duo的最佳搭配芯片組除了Intel自家的965/975系列外,就只剩下nVIDIA的nForce 680 SLi芯片組了。這些芯片組不僅能夠支持1066MHz的FSB頻率(而680 SLi能支持更高規(guī)格的1333MHz)各雙通道DDRⅡ800來(lái)滿足Core 2 Duo的帶寬要求(實(shí)際上Conroe核心的處理器在默認(rèn)頻率下只需要DDRⅡ533即可滿足其數(shù)據(jù)帶寬要求),也圓了超頻時(shí)采用同步內(nèi)存頻率的夢(mèng)想。但作為超頻考慮需要注意,目前nForce 680 SLi尚未大量鋪貨,而Intel 965/975芯片組中有只有高端主板才具備優(yōu)良的超頻性能。比如技嘉的GA-965P-DQ6就給人留下了深刻印象——能夠?qū)ntel Core 2 Duo E6300在主頻及外頻上均翻了一番!
  AMD AM2平臺(tái)
  新的DDRⅡ平臺(tái)下,我們不僅能選擇nVIDIA的nForce5,也能讓改進(jìn)支持AM2及DDRⅡ的nForce4發(fā)揮余熱。另外,由于AMD的內(nèi)存控制集成方案使得內(nèi)存搭配需與CPU一起考慮,比如940針的閃龍/速龍支持雙通道DDRⅡ667,相應(yīng)內(nèi)存搭配也最好為DDRⅡ667。在超頻性方面,nF4/nF5以及K8T890普遍都具備不錯(cuò)的素質(zhì),就算購(gòu)買(mǎi)500元以內(nèi)的低端主板也能享受到不少的超頻驚喜,這一點(diǎn)大家應(yīng)該能得到深刻滴體會(huì)。而說(shuō)到站在AM2平臺(tái)巔峰的主板,就不能不提鉆石(DFI)的LanParty系列和華碩的M2-Crosshair系列,相信這些頂級(jí)主板都是每個(gè)AMD骨灰級(jí)Fans的夢(mèng)想。

急速DDRⅡ超頻設(shè)置
  面對(duì)DDRⅡ平臺(tái),那么應(yīng)該如何設(shè)置才能享受到內(nèi)存急速飛飚的快感呢?答案無(wú)疑是超頻!關(guān)于超頻的文章數(shù)不勝數(shù),在此不再贅述。我們重點(diǎn)來(lái)討論一下DDRⅡ平臺(tái)下要發(fā)揮出系統(tǒng)及內(nèi)存性能極限而需要注意的概念和設(shè)置。
  內(nèi)存超頻目標(biāo)——頻率與時(shí)序
  Intel由于采用外部?jī)?nèi)存控制結(jié)構(gòu)使得芯片組對(duì)內(nèi)存時(shí)序的敏感程度大為降低,因此頻率才是提升性能的最有效途徑,而時(shí)序在Intel的DDRⅡ平臺(tái)中的地位變得次要;而AM2平臺(tái)由于采用內(nèi)部控制器,對(duì)時(shí)序相對(duì)敏感,但前提是在頻率得以提升的情況下再考慮時(shí)序。另外,目前DDRⅡ內(nèi)存延時(shí)普遍較高,因此在AM2平臺(tái)下,內(nèi)存頻率帶寬的提高所帶來(lái)的性能提升可能還不如內(nèi)存延時(shí)所降低性能的影響,這也決定了AM2平臺(tái)只有搭配較高頻率且延遲較低的優(yōu)秀內(nèi)存才能體現(xiàn)出系統(tǒng)性能提升。
  另外還需要注意的是,雖然對(duì)于兩大平臺(tái)來(lái)說(shuō)頻率固然比時(shí)序重要,但首先考慮的是FSB對(duì)數(shù)據(jù)帶寬的需求,即在FSB不成為瓶頸的基礎(chǔ)上才能考慮到頻率的提升以及時(shí)序的優(yōu)化的取舍,以頻率的提升為重點(diǎn),而當(dāng)FSB頻率成為瓶頸時(shí),則可優(yōu)先考慮優(yōu)化時(shí)序。
  兩大平臺(tái)超頻思路及設(shè)置
  Intel Core 2 Duo平臺(tái)
  Intel平臺(tái)超頻首先得心優(yōu)秀超頻設(shè)計(jì)的主板為后盾,再以優(yōu)質(zhì)內(nèi)存(優(yōu)先考慮高頻內(nèi)存產(chǎn)品)為武器后才能充分發(fā)揮潛力,同時(shí)設(shè)置中需要注意以下幾個(gè)問(wèn)題。
  √內(nèi)存異步——優(yōu)先提升頻率
  Intel平臺(tái),無(wú)論是P4、PD還是Core 2 Duo,一切性能提升的關(guān)鍵首先取決于CPU頻率,根據(jù)實(shí)際測(cè)試來(lái)看,在CPU同頻率下,DDRⅡ800僅比DDRⅡ667系統(tǒng)提高3%至10%,因此超頻首要考慮提升CPU頻率,然后再通過(guò)異步設(shè)置降低內(nèi)存要求。如Core 2 Duo E6300(7X266MHz外頻=1862MHz),當(dāng)外頻被超到350MHz時(shí),若內(nèi)存設(shè)置為同步,則內(nèi)存頻率也為350MHz(DDRⅡ700),此時(shí)普通DDRⅡ533或667內(nèi)存則可能因無(wú)法工作而影響CPU頻率的進(jìn)一步提升。但只要把內(nèi)存異步設(shè)置為5:4或者4:3后,內(nèi)存就能工作在280MHz(DDRⅡ560)或(DDRⅡ525),即將原本DDRⅡ533的內(nèi)存設(shè)置為DDRⅡ400或者將原本DDRⅡ667的內(nèi)存設(shè)置為DDRⅡ533。
  當(dāng)要設(shè)置內(nèi)存異步時(shí),在主板BIOS的“DRAM Frequency”選項(xiàng)(不同主板可能有不同設(shè)置選項(xiàng),但意思相近)中,根據(jù)內(nèi)存的具體規(guī)格設(shè)置相應(yīng)內(nèi)存頻率即可(DDRⅡ400至1067MHz可選)。但有些主板可能未明確標(biāo)示出比率,而是以內(nèi)存頻率標(biāo)示,那么可按此規(guī)律計(jì)算一下:如Core 2 Duo E6300默認(rèn)為266MHz外頻,那么在此頂中選DDRⅡ400則為4:3,選DDRⅡ533就為1:1,DDRⅡ667即為4:5,DDRⅡ800為2:3……依此類(lèi)推。
  總之,超頻思路首先是通過(guò)異步方式降低內(nèi)存的影響來(lái)提升CPU頻率,這樣便不會(huì)因內(nèi)存品質(zhì)影響到CPU發(fā)揮。當(dāng)把CPU頻率極限探知后,再靈活使用異步調(diào)整內(nèi)存頻率來(lái)沖擊內(nèi)存穩(wěn)定工作的最佳極限。
  √雙通道組建
  Core 2 Duo處理器的1066MHz前端總線頻率使得帶寬需求高達(dá)8.6GB/秒,已超過(guò)DDRⅡ800所提供的6.4GB/秒,因此組建雙通道對(duì)于Intel Core 2 Duo平臺(tái)而言是具有重要意義的。尤其是設(shè)置了異步內(nèi)存頻率超頻后,雙通道更能有效緩解帶寬瓶頸。
  組建雙通道時(shí)也需要注意,此前Intel平臺(tái)一直對(duì)雙通道內(nèi)存的要求比較嚴(yán)格,兩根內(nèi)存條組雙難道時(shí)不僅要求容量相同,而且要求顆粒參數(shù)都要盡量一致才能保持穩(wěn)定工作。到了Intel 965/975芯片組,Intel正式提出了FMT技術(shù)來(lái)改善內(nèi)存兼容性,解決了這個(gè)麻煩問(wèn)題。不過(guò)還是建議大家在組建雙通道的時(shí)候,還是盡可能使用同一品牌、相同容量和頻率、甚至顆粒參數(shù)都基本一致的產(chǎn)品。
  √頻率大于時(shí)序
  Intel的內(nèi)存控制方案使得數(shù)據(jù)交換需通過(guò)主板北橋芯片,這樣就給CPU訪問(wèn)內(nèi)存帶來(lái)更高的延時(shí),此先天因素決定了內(nèi)存時(shí)序的調(diào)節(jié)對(duì)整體性能的影響并不會(huì)太大。所以,對(duì)于Intel平臺(tái)的內(nèi)存調(diào)節(jié)我們要優(yōu)先考慮頻率,原則上只要大于超頻后CPU對(duì)帶寬的要求即可。如Core 2 Duo E6300,當(dāng)外頻超到350MHz后,F(xiàn)SB頻率提升到1400MHz,其帶寬要求高達(dá)約11.3GB/秒,顯然,此時(shí)只有組建雙通道DDRⅡ800(12.8GB/秒)才能充分滿足其帶寬需求。

  AMD平臺(tái)設(shè)置
  陳濱個(gè)人認(rèn)為,當(dāng)前主流AMD平臺(tái)才上充分挖掘DDRⅡ潛力的好舞臺(tái)。大多數(shù)AM2主板(包括很多低端產(chǎn)品)都具備產(chǎn)錯(cuò)的超頻素質(zhì),這給了超頻Fans們一個(gè)良好的發(fā)揮平臺(tái)。另外由于CPU內(nèi)部?jī)?nèi)存控制器的集成而使每一項(xiàng)內(nèi)存參數(shù)的優(yōu)化都可能給內(nèi)存性能增添一筆亮點(diǎn)!下面我們就來(lái)看一看怎樣才能充分發(fā)揮AMD平臺(tái)上的DDRⅡ性能潛力。
  √同步超頻,極品顆粒試金石
  由于AM2平臺(tái)CPU集成內(nèi)存控制器,因此AMD平臺(tái)只能通過(guò)同步內(nèi)存方式超頻來(lái)提升內(nèi)存潛能(當(dāng)然也可以設(shè)置內(nèi)存異步選項(xiàng),但會(huì)給系統(tǒng)造成不穩(wěn)定,值得注意!),對(duì)內(nèi)存的要求提高了很多。比如當(dāng)前AMD熱門(mén)的速龍64 X2 3800+(200MHzX10倍頻=2000MHz),其內(nèi)部?jī)?nèi)存控制器為DDRⅡ800,因此默認(rèn)標(biāo)配內(nèi)存的實(shí)際工作頻率為400MHz,一旦超頻后其對(duì)內(nèi)存頻率要求可謂之高!而目前市面上不少X2 3800+處理器都能超到250MHz以上,此時(shí)內(nèi)存頻率高達(dá)500MHz(DDR1000)以上!因此只有采用品質(zhì)優(yōu)秀的極品內(nèi)存才能發(fā)揮出系統(tǒng)的超頻潛能,這也讓AM2平臺(tái)成為極品內(nèi)存顆粒的試煉場(chǎng)(美光D9等極品顆粒也因此而受廣大AMD的粉絲所追捧)。
  √內(nèi)存分頻需注意
  當(dāng)我們習(xí)慣性地把內(nèi)存頻率設(shè)置為DDRⅡ533、DDRⅡ667和DDRⅡ800模式后,你會(huì)發(fā)覺(jué)真實(shí)的內(nèi)存頻率并不以“內(nèi)存:CPU”的比例來(lái)實(shí)現(xiàn),而是根據(jù)公式“內(nèi)存頻率=CPU÷分頻”來(lái)計(jì)算內(nèi)存頻率的,2G以下的速龍64(包括速龍64 X2系列)處理器的分頻方式如下:
 ?、俦额l為10的處理器,內(nèi)存設(shè)置頻率為DDRⅡ400時(shí)實(shí)際內(nèi)存頻率為外頻X倍頻÷10,DDRⅡ533為外頻X倍頻÷8,DDRⅡ667為外頻X倍頻÷6,DDRⅡ800為外頻X倍頻÷5;
  ②倍頻為9的處理器,內(nèi)存設(shè)置頻率為DDRⅡ400時(shí)實(shí)際內(nèi)存頻率為外頻X倍頻÷9,DDRⅡ533為外頻X倍頻÷7,DDRⅡ667為外頻X倍頻÷6,DDRⅡ800為外頻X倍頻÷5;
 ?、郾额l為8的處理器,內(nèi)存設(shè)置頻率為DDRⅡ400時(shí)實(shí)際內(nèi)存頻率為外頻X倍頻÷8,DDRⅡ533為外頻X倍頻÷6,DDRⅡ667為外頻X倍頻÷5,DDRⅡ800為外頻X倍頻÷5;
 ?、鼙额l為7的處理器,內(nèi)存設(shè)置頻率為DDRⅡ400時(shí)實(shí)際內(nèi)存頻率為外頻X倍頻÷7,DDRⅡ533為外頻X倍頻÷6,DDRⅡ667為外頻X倍頻÷5,DDRⅡ800為外頻X倍頻÷5。
  要進(jìn)行同步超頻設(shè)置時(shí),只需在BIOS的內(nèi)存設(shè)置選項(xiàng)中將“DRAM Frequency”項(xiàng)根據(jù)CPU集成控制器的類(lèi)型以及內(nèi)存的型號(hào)(最好是規(guī)格相同)選擇相應(yīng)的頻率即可。如閃龍/速龍需選擇DDRⅡ667,速龍64 X2處理器則選擇DDRⅡ800,然后在CPU超頻項(xiàng)中逐步提高CPU頻率。但需要注意:此時(shí)CPU的頻率與內(nèi)存是同步提高的,因此需根據(jù)上述分頻公式計(jì)算出內(nèi)存實(shí)際頻率——例如X2 3800+超到250MHz外頻時(shí),對(duì)照公式可算出內(nèi)存頻率為250MHzX10÷5=500MHz(即DDR1000),以免因內(nèi)存體質(zhì)影響CPU發(fā)揮。
  另外不少AM2主板也提供異步設(shè)置項(xiàng)(即在頻率中選擇不對(duì)應(yīng)的規(guī)格內(nèi)存),但實(shí)際使用中發(fā)現(xiàn)設(shè)置異步后系統(tǒng)無(wú)法長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作,并且會(huì)給超頻造成很大麻煩。
  √頻率為前提,優(yōu)化時(shí)序參數(shù)
  正是由于AMD雙核處理器先天的低延遲內(nèi)存控制機(jī)制使其對(duì)內(nèi)存參數(shù)的控制較敏感,從以往經(jīng)驗(yàn)來(lái)判斷,速龍64平臺(tái)對(duì)內(nèi)存頻率及時(shí)序的優(yōu)化都有不錯(cuò)的效果,那么究竟如何取舍高頻率和低延遲呢?
  根據(jù)陳濱個(gè)人測(cè)試的結(jié)果來(lái)看,從DDRⅡ533到DDRⅡ800,每一檔次頻率的提升都能給系統(tǒng)帶來(lái)15%左右的性能提升。因此,AMD平臺(tái)下DDRⅡ內(nèi)存性能提升的思路應(yīng)當(dāng)首先以同步頻率提升為前提,然后再調(diào)節(jié)內(nèi)存在穩(wěn)定狀態(tài)下的最優(yōu)化時(shí)序參數(shù),這點(diǎn)和Intel平臺(tái)下的頻率至上原則不太一樣。
  √關(guān)于雙通道設(shè)置
  由于AMD的HT總線速度對(duì)整體性能影響不大,因此AM2平臺(tái)(尤其是低端平臺(tái))在雙通道的組建問(wèn)題上相對(duì)于Intel平臺(tái)而言迫切性不是很大,但雙通道對(duì)于超頻后的速龍64 X2雙核平臺(tái)還是有積極意義的,畢竟雙核的多任務(wù)環(huán)境及超頻后對(duì)內(nèi)存的帶寬需求都將大幅增加。

寫(xiě)在最后
  坦白地講,對(duì)任何一個(gè)超頻愛(ài)好者來(lái)說(shuō),超頻內(nèi)存都是一把雙刃劍——好則大幅提升系統(tǒng)性能,反之則阻礙系統(tǒng)整體性能的提升。內(nèi)存顆粒品質(zhì)、內(nèi)存電路板布局與設(shè)計(jì)以及BIOS參數(shù)調(diào)節(jié),這三者都對(duì)內(nèi)存超頻成績(jī)有著直接的影響。只要選擇口碑好的內(nèi)存顆粒與品牌,針對(duì)Intel與AMD不一樣的內(nèi)存控制方式設(shè)置適當(dāng)超頻參數(shù),相信大家能讓DDRⅡ內(nèi)存和整體性能攀上一個(gè)新的臺(tái)階!不過(guò)有一點(diǎn)仍然需要提醒大家,那就是內(nèi)存頻率、時(shí)序參數(shù)與CPU頻率的取舍問(wèn)題。筆者認(rèn)為,CPU的頻率提升帶來(lái)的整體系統(tǒng)性能上升要比內(nèi)存頻率提升或時(shí)序參數(shù)的優(yōu)化有更明顯的效果,因此我們的基本思路就是在極限CPU頻率之下來(lái)找尋內(nèi)存的最強(qiáng)工作狀態(tài),這也是陳濱個(gè)人超頻內(nèi)存的基本思路。
  本文中,陳濱個(gè)人以自身的些許經(jīng)驗(yàn)為您登上DDRⅡ平臺(tái)急速列車(chē)打下了一定地基礎(chǔ),那么在搭乘上DDRⅡ急速之旅這趟列車(chē)之后,剩下的就應(yīng)該是讀者您親自去體驗(yàn)啦~!

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