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國產(chǎn)瀾起科技DDR4全緩沖架構(gòu)納入國際標(biāo)準(zhǔn) 正研發(fā)DDR5內(nèi)存

來源：番茄系統(tǒng)家園瀏覽：時間：2022-03-03 09:30:15

在存儲芯片領(lǐng)域，DRAM內(nèi)存及NAND閃存的國產(chǎn)率都基本是0，技術(shù)及產(chǎn)能主要掌握在三星、SKHynix、美光、東芝等公司手中，尤其是高價值的DRAM內(nèi)存芯片，三星、SK Hynix及美光三家公司占了全球95%的份額。

國內(nèi)的DRAM內(nèi)存芯片布局主要有合肥長鑫/兆易創(chuàng)新的內(nèi)存芯片項目，福建晉華與臺聯(lián)電合作的內(nèi)存項目由于被美國制裁而陷入了困境。除了DRAM芯片，國內(nèi)還是一些公司主攻內(nèi)存接口芯片，前不久宣布津逮系列國產(chǎn)X86處理器的杭州瀾起科技就是其中之一，該公司正在申請國內(nèi)的科創(chuàng)板上市，日前在招股書中披露了他們在DDR內(nèi)存芯片上的技術(shù)進(jìn)展及布局。

瀾起科技成立于2004年，是全球內(nèi)存接口芯片的主要供應(yīng)商之一，憑借領(lǐng)先的技術(shù)水平，在DDR4階段逐步確立了行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢，公司2018年營業(yè)收入175,766.46萬元，凈利潤73,687.84萬元。

瀾起科技發(fā)明了DDR4全緩沖“1+9”架構(gòu)，最終被JEDEC國際標(biāo)準(zhǔn)采納。公司憑借具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高速、低功耗技術(shù)，為新一代服務(wù)器平臺提供完全符合JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的高性能內(nèi)存接口解決方案，同時正積極參與DDR5 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的制定，是全球可提供從DDR2到DDR4內(nèi)存全緩沖/半緩沖完整解決方案的主要供應(yīng)商之一，在該領(lǐng)域擁有重要話語權(quán)。

目前，公司根據(jù)內(nèi)存模組制造商的研發(fā)進(jìn)度，積極布局研發(fā)DDR5存接口芯片，新一代產(chǎn)品能夠有效支持DDR5的高速、低功耗等要求。